恭喜长鑫存储技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体互连结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110880489B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811029481.3，技术领域涉及：H01L23/535；该发明授权半导体互连结构及其制备方法是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2018-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体互连结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体互连结构及其制备方法，包括如下步骤：1）提供一基底，基底上形成有介电层，于介电层内形成接触孔；2）以低温化学气相沉积的方式至少于接触孔的底部和侧壁形成第一金属层，第一金属层包括成核层；3）以包含低电流密度电镀的电镀方式于第一金属层上形成第二金属层，第二金属层包括种子层，第二金属层的电阻率小于第一金属层的电阻率。本发明通过先于接触孔内低温形成第一金属层后再形成第二金属层，可以避免在接触孔内填充的金属层内部形成孔洞，从而可以有效降低填充的整体金属层的电阻值；第二金属层的电阻率小于第一金属层的电阻率，可以进一步降低填充的整体金属层的电阻值。
本发明授权半导体互连结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体互连结构的制备方法，其特征在于，包括：1）提供一基底，所述基底上形成有介电层，于所述介电层内形成接触孔；2）以低温化学气相沉积的方式至少于所述接触孔的底部和侧壁形成第一金属层，所述第一金属层包括成核层，所述第一金属层的材料包括钨；及3）以包含低电流密度电镀的电镀方式于所述第一金属层上形成第二金属层，所述第二金属层包括种子层，所述第二金属层的电阻率小于所述第一金属层的电阻率，所述第二金属层的材料包括铜；步骤1）与步骤2）之间还包括如下步骤：于所述接触孔的底部、侧壁及所述介电层上表面形成粘附阻挡层的步骤；步骤2）中，所述第一金属层形成于所述粘附阻挡层的表面，所述第一金属层将所述第二金属层和所述粘附阻挡层完全隔开。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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