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龙图腾网恭喜都江堰市天兴硅业有限责任公司申请的专利一种高介电聚合物制备方法、高介电薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119463388B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510045093.8，技术领域涉及：C08L27/16；该发明授权一种高介电聚合物制备方法、高介电薄膜及其制备方法是由廖良;梁子材;廖家兴;徐宏伟;张华峰;刘潇;徐涵琲设计研发完成，并于2025-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高介电聚合物制备方法、高介电薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及介电材料领域，为解决现有技术中尼龙1与聚偏二氟乙烯复合后导致柔性和击穿强度下降的问题，提供了一种高介电聚合物制备方法、高介电薄膜及其制备方法，其中高介电聚合物的制备方法，包括：S100、将5‑8份尼龙1与120‑150份聚偏二氟乙烯通过交联反应制得尼龙1聚偏二氟乙烯复合物；反应温度为100‑130℃，反应时间为8‑12min；S200、在容器中投入15‑25份尿素、200‑230份尼龙1聚偏二氟乙烯复合物和0.1‑0.3份助剂后，通入二氧化碳，使二氧化碳处于超临界状态；S300、进行缩聚反应；S400、投入封端剂，最后得到高介电聚合物。本发明提供的高介电聚合物的制备方法通过两步引入尼龙1的方式，确保了尼龙1与聚偏二氟乙烯之间的相容度，又降低了产物的交联度，提高了产品的柔韧性。

本发明授权一种高介电聚合物制备方法、高介电薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高介电薄膜的制备方法，其特征在于，包括：S100、以重量份计，将5-8份尼龙1与120-150份聚偏二氟乙烯混合，在180-200℃下混炼10-20分钟，然后将混炼产物于100-130℃下热压8-12min，再室温保压8-12min，得到厚度为1-300μm的尼龙1聚偏二氟乙烯复合物薄膜；尼龙1的平均聚合度为50-80；S200、以重量份计，在容器中投入15-25份尿素、200-230份尼龙1聚偏二氟乙烯复合物和0.1-0.3份助剂后，排除容器中空气，升温并通入二氧化碳，使二氧化碳处于超临界状态；S300、调控反应调节，进行缩聚反应；S400、缩聚反应结束后，投入封端剂，进行封端反应，最后得到高介电聚合物；所述S300包括：A100、调节反应参数进行一次缩聚反应，反应压力为18-23MPa，反应温度为100-140℃，反应时间为5-8h；A200、调节反应参数进行二次缩聚反应，反应压力为10-15MPa，反应温度为180-240℃，反应时间为2-4h；反应参数从一次缩聚反应的条件转为二次缩聚反应的条件时，升温速率为10-20℃min；所述S300还包括：在缩聚反应结束后，将容器内温度降低至31.1-40℃，然后投入淀粉晶，淀粉晶与尿素的质量比为1:50-1:30，再次通入二氧化碳至容器内压力为9-12Mpa，搅拌2-5min后，进行泄压操作；所述泄压操作包括：先将容器内压力泄至5-7Mpa，泄压时间4-6h，然后保压1-2h，最后将容器内压力降至大气压，泄压时间5-8s。

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