买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜常州正宇光伏科技有限公司申请的专利一种选择性接触的双面TOPCon电池结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119451285B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510026114.1，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种选择性接触的双面TOPCon电池结构及其制备方法是由黄辉巍;杜庆晖;刘斌设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种选择性接触的双面TOPCon电池结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种选择性接触的双面TOPCon电池结构及其制备方法，制备方法包括：选择N型硅片作为电池基底，进行双面制绒；在基底正面的制绒面上依次制得P+层和P++层，同时在表面沉积mask层；清洗去除背面及四周的绕镀，使得背面基底裸露；在S3处理后的背面制得N+层，同时在表面沉积mask层；N+层为单层钝化接触层或双层钝化接触层；采用激光器对正面和背面非接触区进行开膜，酸洗去除正面及四周的绕镀，碱洗去除正面非接触区的第二钝化接触层，以及背面非接触区的一层钝化接触层；双面依次沉积钝化层，然后丝网印刷、烧结并光电注入后制得成品。本发明通过采用BF3作为掺硼源，能够高效实现原位硼掺杂，增大了硼原子的浓度。

本发明授权一种选择性接触的双面TOPCon电池结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种选择性接触的双面TOPCon电池结构的制备方法，其特征在于，包括如下操作步骤：S1：选择N型硅片作为电池基底，进行双面制绒；S2：在基底正面的制绒面上依次制得P+层和P++层，同时在表面沉积mask层；其中，所述P+层为硼扩散层或者采用PECVD方式进行原位硼掺杂形成的第一钝化接触层，所述P++层为采用PECVD方式进行原位硼掺杂形成的第二钝化接触层；所述第一钝化接触层和所述第二钝化接触层采用BF3作为硼源；S3：清洗去除背面及四周的绕镀，使得背面基底裸露；S4：在S3处理后的背面制得N+层，同时在表面沉积mask层；所述N+层为单层钝化接触层或双层钝化接触层；S5：采用激光器对正面和背面非接触区进行开膜，酸洗去除正面及四周的绕镀，碱洗去除正面非接触区的第二钝化接触层，以及背面非接触区的一层钝化接触层；S6：双面依次沉积钝化层，然后丝网印刷、烧结并光电注入后制得成品；所述第一钝化接触层为SiOx1p1-poly（p+），所述第二钝化接触层为SiOx2p2-poly（p++）；当所述N+层为单层钝化接触层时，所述单层钝化接触层为SiOx-poly（n+）；当所述N+层为双层钝化接触层时，所述双层钝化接触层为SiOx11-poly（n+）SiOx22-poly（n++）。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人常州正宇光伏科技有限公司，其通讯地址为：213166 江苏省常州市武进国家高新技术产业开发区武宜南路388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。