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龙图腾网恭喜电子科技大学申请的专利一种针对KHz段的小尺寸屏蔽型电磁超材料设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119479945B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510025157.8，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权一种针对KHz段的小尺寸屏蔽型电磁超材料设计方法是由李晓宁;曾潇岳;陈淑行;马启文;向凤燕;耿志杰设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种针对KHz段的小尺寸屏蔽型电磁超材料设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种针对KHz段的小尺寸屏蔽型电磁超材料设计方法，涉及超材料设计技术领域，包括：构建双层首尾相接螺旋线圈电磁超材料基元模型，对模型进行仿真得到电感参数和电阻参数，确定外加集总电容参数以及品质因数；判断是否可能出现近零磁导率；对最新模型进行仿真得到基元谐振频率的解，并将该解与设计所要求的谐振频率相比较；计算模型几何因数；计算得到电磁超材料复磁导率的曲线；确定磁导率为零的点并选取自己的目标近零区间；对设计的模型进行仿真，观察屏蔽效果。本发明操作简便，提高了设计和制造过程的效率和可重复性，实现了超材料小尺寸化，能够满足低频段和高效能的电磁屏蔽需求，具有较高的实用性和市场价值。

本发明授权一种针对KHz段的小尺寸屏蔽型电磁超材料设计方法在权利要求书中公布了：1.一种针对KHz段的小尺寸屏蔽型电磁超材料设计方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、根据与实际工况相符的无线传能系统的参数确定电磁超材料基元的大小以及谐振频率；S2、根据电磁超材料基元大小构建双层首尾相接螺旋线圈电磁超材料基元模型，确认模型参数；S3、利用有限元仿真技术对双层首尾相接螺旋线圈电磁超材料基元模型进行仿真，得到电感参数和电阻参数，确定外加集总电容参数以及品质因数；S4、根据品质因数判断是否出现近零磁导率，若品质因数低于品质因数阈值，则跳转至步骤S2，若品质因数达到品质因数阈值，则继续执行步骤S5；S5、将最新的双层首尾相接螺旋线圈电磁超材料基元模型参数放入有限元仿真软件中，仿真得到基元谐振频率的解，并将该解与设计所要求的谐振频率相比较，若两者差值小于差值阈值，则继续执行步骤S6，否则跳转至步骤S2；S6、基于电磁超材料基元的体积，电感参数，双层首尾相接螺旋线圈电磁超材料基元模型正面电磁超材料基元的螺旋线圈所围成的最大面积，以及双层首尾相接螺旋线圈电磁超材料基元模型背面电磁超材料基元的螺旋线圈所围成的最大面积，计算双层首尾相接螺旋线圈电磁超材料基元模型的几何因数；所述几何因数F的计算公式为： 其中，μ0为真空磁导率，S1为磁超材料基元正面的螺旋线圈所围成的最大面积，S2为背面的螺旋线圈所围成的最大面积；L为电感参数，V表示体积，通过计算电磁超材料基元模型的长×宽×高得到；S7、基于几何因数、电感参数、外加集总电容参数、品质因数和谐振频率计算得到电磁超材料复磁导率的曲线，电磁超材料复磁导率的实部为等效磁导率，虚部为超材料基元损耗；S8、根据等效磁导率的曲线确定磁导率为零的点并选取目标近零区间，得到本次设计的电磁超材料模型；S9、在电磁仿真软件中建立与实际工况相符的无线传能系统，加入本次设计的电磁超材料模型，若两侧磁场强度发生明显变化且场强达到设计要求，则证明本次设计有效，否则跳转至步骤S2。

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