恭喜成都纤声科技有限公司王韬获国家专利权
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龙图腾网恭喜成都纤声科技有限公司申请的专利一种压电结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421095B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510018726.6，技术领域涉及：H04R19/04；该发明授权一种压电结构的制备方法是由王韬;牛浩博设计研发完成，并于2025-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种压电结构的制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种压电结构的制备方法，涉及半导体技术领域。该压电结构的制备方法包括：提供基底结构，并在基底结构上形成第一压电层；在第一压电层上形成金属层；在金属层上形成第二压电层；采用刻蚀气体一次刻蚀第二压电层、金属层和第一压电层，以形成贯穿第二压电层、金属层和第一压电层的第一缝隙。该压电结构的制备方法利用了压电材料刻蚀过程中存在的“再沉积效应”，通过在第一压电层和第二压电层之间增加金属层，再配合一步刻蚀，增加了再沉积效应对第一缝隙侧壁的保护效果，可以实现第一缝隙更大的倾斜角度。通过调整刻蚀菜单中金属刻蚀气体和压电刻蚀气体的比例，在制备小线宽第一缝隙的同时，也实现了对第一缝隙底部宽度的自由控制。
本发明授权一种压电结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种压电结构的制备方法，其特征在于，包括：提供基底结构，并在所述基底结构上形成第一压电层；在所述第一压电层上形成金属层，其中，所述金属层完全覆盖所述第一压电层或覆盖部分所述第一压电层；在所述金属层上形成第二压电层；采用刻蚀气体一次刻蚀所述第二压电层、所述金属层和所述第一压电层，以形成贯穿所述第二压电层、所述金属层和所述第一压电层的第一缝隙，其中，所述第一缝隙的侧壁覆盖再沉积层并倾斜，所述第一缝隙的上端宽度大于所述第一缝隙的下端宽度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人成都纤声科技有限公司，其通讯地址为：610094 四川省成都市高新区益州大道北段280号1栋1层1-2-11；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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