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龙图腾网恭喜长飞先进半导体(武汉)有限公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421470B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510012846.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由罗成志设计研发完成，并于2025-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件包括衬底、外延层、栅极结构和埋层结构；衬底具有第一导电类型，外延层具有第一导电类型且位于衬底的表面，外延层包括第一表面，第一表面设置有栅极沟槽；栅极结构位于栅极沟槽的内部；埋层结构包括第一埋层和第二埋层，第二埋层具有第一导电类型，第一埋层具有第二导电类型，且第二埋层的离子浓度大于外延层的离子浓度，第二埋层被配置于减少和第一埋层之间的耗尽区宽度。本发明实施例的技术方案可保护栅氧化层不易被击穿，提高器件的可靠性，且保证器件的开态电流。

本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，具有第一导电类型；外延层，具有所述第一导电类型且位于所述衬底的表面，所述外延层包括第一表面，所述第一表面设置有栅极沟槽；栅极结构，位于所述栅极沟槽的内部；埋层结构，所述埋层结构包括第一埋层和第二埋层，所述第二埋层具有所述第一导电类型，所述第一埋层具有第二导电类型，且所述第二埋层的离子浓度大于所述外延层的离子浓度，所述第二埋层被配置于减少和所述第一埋层之间的耗尽区宽度；所述第一埋层包括第一子埋层部和第二子埋层部，所述第一子埋层部位于所述栅极结构的底部靠近所述衬底的一侧，所述第二子埋层部位于所述第一子埋层部远离所述栅极结构的一侧，且所述第二子埋层部与所述第一子埋层部接触；所述第一子埋层部的宽度小于所述第二子埋层部的宽度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长飞先进半导体(武汉)有限公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号武汉未来科技城龙山创新园一期B4栋18楼546室(自贸区武汉片区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。