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龙图腾网恭喜芯思杰技术(深圳)股份有限公司申请的专利光电芯片及其制备方法、平衡光电探测器、光通信设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119384053B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411942146.8，技术领域涉及：H10F39/10；该发明授权光电芯片及其制备方法、平衡光电探测器、光通信设备是由邹颜;刘宏亮;杨彦伟;陆一锋;张续朋;向智;曾建武设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本光电芯片及其制备方法、平衡光电探测器、光通信设备在说明书摘要公布了：本申请提供了光电芯片及其制备方法、平衡光电探测器、光通信设备。光电芯片包括第一芯片、第二芯片及电极组件，第一芯片与第二芯片由同一个晶圆制备得到，第一芯片由晶圆的第一部分制备得到，第二芯片由晶圆的第二部分制备得到，第一部分与第二部分相连接且相邻设置；电极组件连接第一芯片与第二芯片。本申请采用在同一晶圆上相邻部分形成的第一芯片与第二芯片组合为光电芯片，提高了光电芯片的信噪比，提高了平衡光电探测器的探测性能；且通过电极组件将第一芯片与第二芯片组合在一起，缩小了光电芯片的整体尺寸，提高了产出；采用背面入光的方式，节省封装工艺中的焊线工艺，进一步减少因为焊线引起的串扰从而提高信噪比。

本发明授权光电芯片及其制备方法、平衡光电探测器、光通信设备在权利要求书中公布了：1.一种光电芯片，其特征在于，应用于平衡光电探测器，所述光电芯片包括：第一芯片与第二芯片，所述第一芯片与所述第二芯片相连接且相邻设置，所述第一芯片与所述第二芯片由同一个晶圆制备得到，所述第一芯片由所述晶圆的第一部分制备得到，所述第二芯片由所述晶圆的第二部分制备得到，所述第一部分与所述第二部分相连接且相邻设置；电极组件，所述电极组件设于所述第一芯片与所述第二芯片的同一侧，所述电极组件包括N电极、P电极、及共电极，所述N电极与所述共电极均连接所述第一芯片，所述P电极与所述共电极均连接所述第二芯片；所述第一芯片与所述第二芯片包括同一个衬底，所述电极组件设于所述第一芯片、所述第二芯片远离所述衬底的一侧；所述第一芯片还包括设于所述衬底与所述电极组件之间的第一光吸收层，所述第一芯片面向所述电极组件的一侧具有第一有源区，至少部分所述第一有源区设于所述第一光吸收层，所述第一有源区形成第一PN结，所述共电极连接所述第一有源区；所述第二芯片还包括设于所述衬底与所述电极组件之间的第二光吸收层，所述第二光吸收层与所述第一光吸收层间隔设置，所述第二芯片面向所述电极组件的一侧具有第二有源区，至少部分所述第二有源区设于所述第二光吸收层，所述第二有源区形成第二PN结，所述P电极连接所述第二有源区；所述第一芯片还包括设于所述第一光吸收层与所述电极组件之间的第一连接层，所述第一有源区包括相连接的第一子区与第二子区，所述第一子区设于所述第一连接层，所述第二子区设于所述第一光吸收层，所述共电极连接所述第一子区；所述第二芯片还包括设于所述第二光吸收层与所述电极组件之间的第二连接层，所述第二连接层与所述第一连接层间隔设置，所述第二有源区包括相连接的第三子区与第四子区，所述第三子区设于所述第二连接层，所述第四子区设于所述第二光吸收层，所述P电极连接所述第三子区；沿所述衬底至所述电极组件的排布方向上，所述第一子区的高度大于所述第二子区的高度；所述第一子区的高度等于所述第一连接层的厚度，所述第二子区的高度小于所述第一光吸收层的厚度；所述第一子区的掺杂浓度大于所述第二子区的掺杂浓度；所述第三子区的高度大于所述第四子区的高度；所述第三子区的高度等于所述第二连接层的厚度，所述第四子区的高度小于所述第二光吸收层的厚度；所述第三子区的掺杂浓度大于所述第四子区的掺杂浓度；所述衬底背离所述第一连接层的一侧具有第一入光区，所述第一入光区与所述第一有源区正对应设置；所述衬底背离所述第二连接层的一侧具有第二入光区，所述第二入光区与所述第二有源区正对应设置；所述光电芯片满足以下条件的至少一者：所述第一芯片与所述第二芯片之间击穿电压的差值绝对值≤0.4V；所述第一芯片与所述第二芯片之间响应度的差值绝对值≤0.1AW；所述第一芯片与所述第二芯片之间电容的差值绝对值≤0.1pF。

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