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龙图腾网恭喜淮安捷泰新能源科技有限公司申请的专利TBC电池的背面结构及其制备方法、TBC电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119342910B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411889468.0，技术领域涉及：H10F10/14；该发明授权TBC电池的背面结构及其制备方法、TBC电池及其制备方法是由周福深;张满良;方涛设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本TBC电池的背面结构及其制备方法、TBC电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了TBC电池的背面结构及其制备方法、TBC电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明提供的TBC电池的背面结构包括的第一掺杂多晶硅层设置有高浓度掺杂区、低浓度掺杂区，一方面保证了金属电极与多晶硅具有良好的接触，同时所述电池具有较低的接触电阻，电池的转换效率高。本发明提供的TBC电池的背面结构或者TBC电池的制备方法，在保证第一掺杂多晶硅层厚度不降低的基础上，通过设置低浓度掺杂区，降低了激光图形化处理对后续湿法刻蚀多晶硅产生的不利影响，保证了湿法刻蚀多晶硅的效果，进而在保证电池性能的基础上，降低了制备过程难度，提高了电池制造良率。

本发明授权TBC电池的背面结构及其制备方法、TBC电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.TBC电池的背面结构，其特征在于，所述背面结构包括位于基区硅片背面的第一发射区、隔离区、第二发射区，所述第一发射区包括层叠设置于所述基区硅片背面的第一隧穿氧化层、第一掺杂多晶硅层、钝化层以及第一金属电极，所述第一金属电极穿过钝化层与所述第一掺杂多晶硅层接触；所述第二发射区包括层叠设置于所述基区硅片背面的第二隧穿氧化层、第二掺杂多晶硅层、钝化层以及第二金属电极，所述第二金属电极穿过钝化层与所述第二掺杂多晶硅层接触；所述隔离区设置于所述第一发射区与所述第二发射区之间；其中，所述第一掺杂多晶硅层包括高浓度掺杂区、低浓度掺杂区；朝向基区硅片的方向，所述低浓度掺杂区在厚度上的掺杂浓度由N1增加至N2，所述低浓度掺杂区的最高掺杂浓度N2不超过高浓度掺杂区的掺杂浓度；所述高浓度掺杂区位于靠近基区硅片背面的一侧，所述第一金属电极穿过低浓度掺杂区与所述高浓度掺杂区接触；所述高浓度掺杂区的掺杂浓度为5E19atomcm3~1E20tomcm3；所述低浓度掺杂区的掺杂浓度N1为1E19atomcm3~4E19atomcm3，所述低浓度掺杂区的掺杂浓度N2为5E19atomcm3~1E20atomcm3；所述N2N1≥1.25。

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