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龙图腾网恭喜金阳(泉州)新能源科技有限公司申请的专利一种背接触太阳电池及其短流程制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119342931B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411866109.3，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种背接触太阳电池及其短流程制备方法是由林楷睿;许志设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种背接触太阳电池及其短流程制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于背接触太阳电池技术领域，具体涉及一种背接触太阳电池及其短流程制备方法，包括如下步骤：S2、在硅片的背面依次沉积第一隧穿氧化层和P型掺杂多晶层，形成第一半导体层；沉积P型掺杂多晶层期间自然形成的BSG层作为掩膜层；制绒清洗之后，S5、通过LPCVD技术，在正面和背面同时沉积第二隧穿氧化层与非晶钝化层，LPCVD技术的沉积温度为430‑620℃；其中，背面沉积的第二隧穿氧化层与非晶钝化层形成了第二半导体层；非晶钝化层为N型非晶硅或者为本征非晶硅与N型非晶硅的叠层。本发明简化了制备工艺及降低了设备成本，同时在正背面均获得较好的钝化效果，提升电池转换效率。

本发明授权一种背接触太阳电池及其短流程制备方法在权利要求书中公布了：1.一种背接触太阳电池的短流程制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、提供硅片；S2、在所述硅片的背面依次沉积第一隧穿氧化层和P型掺杂多晶层，形成第一半导体层；沉积P型掺杂多晶层期间自然形成的BSG层作为掩膜层；S3、在S2所得背面对第一半导体层进行第一刻蚀，形成间隔分布的预设第一开口区；S4、通过制绒清洗，在背面的预设第一开口区内形成绒面，形成第一开口区；同时在正面形成绒面；之后根据需要选择是否进行经过清洗去除硅片背面第二半导体开口区外的BSG层掩膜层的步骤；S5、通过LPCVD技术，在正面和背面同时沉积第二隧穿氧化层与非晶钝化层，LPCVD技术的沉积温度为430-620℃；其中，背面沉积的第二隧穿氧化层与非晶钝化层形成了第二半导体层；非晶钝化层为N型非晶硅或者为本征非晶硅与N型非晶硅的叠层；S6、通过管式PECVD技术，在正面的非晶钝化层外表面沉积减反层，所述管式PECVD技术的沉积温度为400-600℃；S7、在S6所得背面的抛光区域对应的第二半导体层上进行第二刻蚀，以裸露第一半导体层，形成与第一开口区间隔排列的第二开口区；S8、在S7所得背面全覆盖地形成导电膜层；S9、然后在S8所得背面的位于第二开口区与第一开口区之间的导电膜层部分进行第三刻蚀，形成绝缘槽；S10、在S9所得背面的第二开口区与第一开口区对应区域外表面上分别形成金属电极。

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