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龙图腾网恭喜英诺赛科(珠海)科技有限公司申请的专利一种半导体器件及半导体器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300400B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411794309.2，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种半导体器件及半导体器件的制备方法是由孙涛;张雪;韦建松设计研发完成，并于2024-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及半导体器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明实施例公开一种半导体器件及半导体器件的制备方法。该半导体器件包括衬底；设置于衬底一侧的缓冲层；设置于缓冲层远离衬底一侧的沟道层；设置于沟道层远离衬底一侧的势垒层；设置于势垒层远离衬底一侧的帽层；设置于帽层远离衬底一侧的调控层，调控层在衬底的正投影至少部分覆盖帽层在衬底的正投影，调控层用于调节帽层的电场的均匀性。本实施例提供的技术方案调节了帽层和栅极之间电场的均匀性，从而提高了栅极的耐压能力，进而改善了半导体器件的可靠性。

本发明授权一种半导体器件及半导体器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；设置于所述衬底一侧的缓冲层；设置于所述缓冲层远离所述衬底一侧的沟道层；设置于所述沟道层远离所述衬底一侧的势垒层；设置于所述势垒层远离所述衬底一侧的帽层；设置于所述帽层远离所述衬底一侧的调控层，所述调控层在所述衬底的正投影至少部分覆盖所述帽层在所述衬底的正投影，所述调控层用于调节所述帽层的电场的均匀性；所述调控层包括第一插入层和第二插入层；所述第一插入层设置于所述势垒层远离所述衬底的一侧，所述第二插入层设置于所述第一插入层远离所述衬底的一侧；所述第一插入层用于降低所述帽层的电场强度；所述第二插入层用于提供势垒，调节所述电场的强度，并将所述电场截止于所述第二插入层的内部；所述第二插入层在所述衬底的正投影完全覆盖所述第一插入层在所述衬底的正投影；第三插入层，所述第三插入层设置于所述第二插入层远离所述衬底的一侧，所述第三插入层用于起分压作用；所述第三插入层在所述衬底的正投影完全覆盖所述第二插入层在所述衬底的正投影；所述第一插入层的材料包括非故意掺杂的氮化镓；所述第二插入层的掺杂包括P-掺杂（p-doped）或NP共掺杂（npco-doped）；所述第三插入层的材料包括GaN，其掺杂包括p-doped或npco-doped。

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