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龙图腾网恭喜中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种基于脉冲离子束的石墨烯单层去除方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119218986B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411720513.X，技术领域涉及：C01B32/194；该发明授权一种基于脉冲离子束的石墨烯单层去除方法是由石峰;谢凌波;巩保启;田野;郭双鹏;周港设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于脉冲离子束的石墨烯单层去除方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于脉冲离子束的石墨烯单层去除方法，包括控制脉冲离子束的溅射能量和脉宽保持在多层石墨烯的缺陷表层和完整底层的溅射阈值之间，将脉冲离子束倾斜入射轰击多层石墨烯，从而选择性地去除缺陷表层的碳原子并同时保留完整底层的碳原子，本发明可用于选择性和控制原子层的去除，实现了大规模单原子层的精确剥离。与传统技术相比，本发明更加可控，具有更宽的处理窗口，更高的性能和质量，且脉冲离子束可以实现在大面积上批量获取完整原子层表面，能解决现有石墨烯材料的去除方法层数不可控、效率低的问题，为半导体、光探测和合成催化的石墨烯应用提供了新的石墨烯去除解决方案，扩大了二维材料创新应用的潜力。

本发明授权一种基于脉冲离子束的石墨烯单层去除方法在权利要求书中公布了：1.一种基于脉冲离子束的石墨烯单层去除方法，其特征在于，包括下述步骤：控制脉冲离子束的溅射能量和脉宽保持在多层石墨烯的缺陷表层和完整底层的溅射阈值之间，将脉冲离子束倾斜入射轰击多层石墨烯，从而选择性地去除缺陷表层的碳原子并同时保留完整底层的碳原子；所述控制脉冲离子束的溅射能量和脉宽保持在多层石墨烯的缺陷表层和完整底层的溅射阈值之间，将脉冲离子束倾斜入射轰击多层石墨烯时，包括调节多层石墨烯或者脉冲离子束的旋转角度，使得脉冲离子束与多层石墨烯的法线方向的夹角为锐角或者钝角；调节脉宽保持在多层石墨烯的缺陷表层和完整底层的溅射阈值之间，调节脉冲离子束的屏栅电压为不破坏完整底层碳原子的去除电压使得溅射能量保持在多层石墨烯的缺陷表层和完整底层的溅射阈值之间，所述去除电压小于满足溅射碳原子的最小阈值电压，从而在不破坏完整底层的碳原子的情况下，选择性地去除缺陷表层的碳原子并同时保留完整底层的碳原子；所述控制脉冲离子束的溅射能量和脉宽保持在多层石墨烯的缺陷表层和完整底层的溅射阈值之间，将脉冲离子束倾斜入射轰击多层石墨烯之前，还包括利用脉冲离子束在多层石墨烯的表面形成缺陷表层，包括：S1，调节脉冲离子束的屏栅电压为满足溅射碳原子的最小阈值电压，调节脉冲离子束的脉宽至初始脉宽并在脉宽稳定后跳转步骤S2；S2，控制脉冲离子束轰击多层石墨烯的表面形成垂直于离子束方向的波状堆叠；S3，逐步调大脉冲离子束的脉宽直至多层石墨烯在波状堆叠边缘的缺陷表层开始出现单层碳原子的撕裂区，从而形成缺陷表层并暴露出完整底层。

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