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龙图腾网恭喜中国科学技术大学申请的专利像素型多阳极半导体探测器阵列的电子学通道复用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119224821B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411718622.8，技术领域涉及：G01T1/24；该发明授权像素型多阳极半导体探测器阵列的电子学通道复用方法是由王宇;杨正光;赵懋源;封常青;张志永;沈仲弢;刘树彬设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本像素型多阳极半导体探测器阵列的电子学通道复用方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种像素型多阳极半导体探测器阵列的电子学通道复用方法，涉及射线探测技术领域，该方法包括：针对每一像素型多阳极半导体探测器的1个阴极，使用一路阴极电子学通道进行读出，得到N路阴极电子学通道；分别从每一像素型多阳极半导体探测器中尚未连接到阳极电子学通道的若干阳极像素中选取一个阳极像素，得到N个阳极像素并编号为一组，合并读出到一路阳极电子学通道，得到M路阳极电子学通道；然后进行事例筛选，根据筛选出的有效事例反推出射线击中像素型多阳极半导体探测器阵列的具体位置。本申请可以减少读出所有探测单元所需的电子学通道数量。

本发明授权像素型多阳极半导体探测器阵列的电子学通道复用方法在权利要求书中公布了：1.一种像素型多阳极半导体探测器阵列的电子学通道复用方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：针对像素型多阳极半导体探测器阵列中的N个像素型多阳极半导体探测器，对每一像素型多阳极半导体探测器的1个阴极均使用一路阴极电子学通道进行读出，得到N路阴极电子学通道；每一像素型多阳极半导体探测器均包括M个阳极像素和1个阴极；步骤S2：针对每一像素型多阳极半导体探测器的M个阳极像素，分别从每一像素型多阳极半导体探测器中尚未连接到阳极电子学通道的若干阳极像素中选取一个阳极像素，得到N个阳极像素，并将这N个阳极像素编号为一组，得到阳极像素编号信息，并将同一组的N个阳极像素合并读出到一路阳极电子学通道；步骤S3：重复执行步骤S2，直至所有像素型多阳极半导体探测器的所有阳极像素均读出到相应的阳极电子学通道为止，得到M路阳极电子学通道；步骤S4：根据N路阴极电子学通道和M路阳极电子学通道进行事例筛选，并根据筛选出的有效事例，反推出射线击中像素型多阳极半导体探测器阵列的具体位置；步骤S4具体包括以下步骤：根据N路阴极电子学通道和M路阳极电子学通道进行事例筛选，剔除无效事例，保留有效事例；根据有效事例，反推出射线击中像素型多阳极半导体探测器阵列的具体位置；根据N路阴极电子学通道和M路阳极电子学通道进行事例筛选，剔除无效事例，保留有效事例，具体包括以下步骤：根据N路阴极电子学通道和M路阳极电子学通道，分别确定射线击中像素型多阳极半导体探测器阵列时，各个阴极电子学通道和各个阳极电子学通道的信号采集情况；根据各个阴极电子学通道和各个阳极电子学通道的信号采集情况，剔除多个阴极电子学通道同时采集到信号的无效事例，得到有效事例；根据有效事例，反推出射线击中像素型多阳极半导体探测器阵列的具体位置，具体包括以下步骤：根据有效事例中各个阴极电子学通道的信号采集情况，结合像素型多阳极半导体探测器编号信息，确定像素型多阳极半导体探测器阵列中被击中的像素型多阳极半导体探测器；根据阳极电子学通道的信号采集情况，结合被击中的像素型多阳极半导体探测器的阳极像素编号信息，确定被击中的像素型多阳极半导体探测器中被击中的阳极像素的具体位置。

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