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龙图腾网恭喜大连奥首科技有限公司申请的专利一种半导体芯片CMP后清洗液、其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119144964B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411620242.0，技术领域涉及：C23G1/18；该发明授权一种半导体芯片CMP后清洗液、其制备方法与应用是由侯军;吕晶;褚雨露;董晴设计研发完成，并于2024-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体芯片CMP后清洗液、其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体芯片CMP后清洗液、其制备方法与应用，半导体芯片CMP后清洗液包括重量配比如下的各组分：添加剂1‑10份；缓蚀剂1‑7份；有机碱1‑10份；超纯水80‑90份；所述添加剂优选为N‑9‑1R,3R,4R,7S‑1‑双4‑甲氧基苯基苯基甲氧基甲基‑7‑羟基‑2,5‑二氧杂双环[2.2.1]庚烷‑3‑基‑9H‑嘌呤‑6‑基苯甲酰胺。本发明半导体芯片CMP后清洗液安全、环保、高效，对半导体芯片无腐蚀，其可在无需超声波工艺配合的纯浸泡工艺条件下完成清洗，在半导体芯片清洗领域具有非常良好的应用前景和大规模工业化推广潜力。

本发明授权一种半导体芯片CMP后清洗液、其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种半导体芯片CMP后清洗液，其特征在于，包括重量配比如下的各组分：添加剂1-10份；缓蚀剂1-7份；有机碱1-10份；超纯水80-90份；所述添加剂为N-9-1R,3R,4R,7S-1-双4-甲氧基苯基苯基甲氧基甲基-7-羟基-2,5-二氧杂双环[2.2.1]庚烷-3-基-9H-嘌呤-6-基苯甲酰胺、2-羟基-3-甲氧基苯甲酰胺、N-羟基-4-甲氧基-萘-1-羧酰胺、N-羟基-5-甲氧基-2-吡啶羧酰胺和Z-N'-羟基-6-甲氧基吡啶酰胺中的一种或多种；所述缓蚀剂为三乙二醇二对甲苯磺酸酯、乙磺酸异丙酯和苯磺酸异丙酯中的一种或多种；所述添加剂和缓蚀剂的重量比为2-8:1；所述有机碱为5-苯甲基-[1,3,4]噻二唑-2-基胺、1,3,4-噻二唑-2-胺和5-甲氧基甲基-1,3,4-噻二唑-2-胺中的一种或多种。

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