恭喜度亘核芯光电技术(苏州)有限公司张继宇获国家专利权
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龙图腾网恭喜度亘核芯光电技术(苏州)有限公司申请的专利一种半导体激光器制备方法及半导体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119134044B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411614198.2，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权一种半导体激光器制备方法及半导体激光器是由张继宇;徐荣靖;郑志川;李颖;魏文超;刘中华;柴志颖;吴昊东;倪静;张宇;王凯设计研发完成，并于2024-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体激光器制备方法及半导体激光器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体激光器制备方法及半导体激光器，涉及半导体激光器技术领域。该半导体激光器制备方法包括：提供激光器芯片；将激光器芯片置于预设温度下的真空环境中；在激光器芯片的腔面上生长锌原子层；对锌原子层进行电离处理以产生锌离子，以诱导锌离子自腔面扩散至激光器芯片的量子阱层靠近腔面的区域。本发明提供的半导体激光器制备方法具有量子阱混杂效率更高、混杂品质更好，且操作步骤简单快捷的特点。
本发明授权一种半导体激光器制备方法及半导体激光器在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器制备方法，其特征在于，包括：提供激光器芯片（100）；将所述激光器芯片（100）置于预设温度下的真空环境中；在所述激光器芯片（100）的腔面（110）上生长锌原子层（300）；对所述锌原子层（300）进行电离处理产生锌离子，以诱导锌离子自所述腔面（110）扩散至所述激光器芯片（100）的量子阱层（120）靠近所述腔面（110）的区域；提供氧离子源与残留的锌离子生成覆盖所述腔面（110）的氧化锌膜层（400），作为所述激光器芯片（100）的钝化膜和或光学膜。
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