恭喜度亘核芯光电技术(苏州)有限公司;苏州度亘垂腔芯片技术有限公司连欢获国家专利权
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龙图腾网恭喜度亘核芯光电技术(苏州)有限公司;苏州度亘垂腔芯片技术有限公司申请的专利切割道加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119108891B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411570949.5，技术领域涉及：H01S5/02；该发明授权切割道加工方法是由连欢;汤瑞辰;惠利省;欧阳仟山;周璇设计研发完成，并于2024-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本切割道加工方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种切割道加工方法，涉及半导体技术领域。本申请实施例提供的切割道加工方法包括沿钝化层刻蚀晶圆至外延层形成第一沟槽；在第一沟槽内，通过湿法刻蚀工艺刻蚀晶圆至衬底形成第二沟槽，第一沟槽和第二沟槽形成切割道。由于采用湿法刻蚀工艺对外延层进行刻蚀，能够有效地释放外延层的内应力，得到的切割道的侧壁、底壁较为光滑。并且湿法刻蚀外延层直至衬底，只需要几分钟即可实现，相较于干法刻蚀工艺而言具有更高的刻蚀效率。另外，干法刻蚀的副产物容易堆积在切割道中，而湿法刻蚀的副产物容易随刻蚀液排出。
本发明授权切割道加工方法在权利要求书中公布了：1.一种切割道加工方法，用于在晶圆上加工切割道，所述晶圆包括依次层叠设置的衬底、外延层和钝化层，其特征在于，所述切割道加工方法包括：沿所述钝化层刻蚀所述晶圆至所述外延层形成第一沟槽；在所述第一沟槽内，通过湿法刻蚀工艺刻蚀所述晶圆至所述衬底形成第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽形成切割道；在所述第一沟槽内，通过湿法刻蚀工艺刻蚀所述晶圆至所述衬底形成第二沟槽，包括：涂覆光刻胶至形成有所述第一沟槽的晶圆；通过光刻工艺在目标外延层的表面定义第二沟槽图案；基于所述第二沟槽图案，使用刻蚀液刻蚀所述目标外延层至所述衬底，形成所述第二沟槽；其中，所述目标外延层包括位于所述第一沟槽的底部的外延层，所述第二沟槽图案的宽度小于所述第一沟槽的宽度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人度亘核芯光电技术(苏州)有限公司;苏州度亘垂腔芯片技术有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号东北区32幢；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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