恭喜度亘核芯光电技术(苏州)有限公司;度亘光电科技(南通)有限公司李宁获国家专利权
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龙图腾网恭喜度亘核芯光电技术(苏州)有限公司;度亘光电科技(南通)有限公司申请的专利一种半导体激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119009681B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411479463.0，技术领域涉及：H01S5/30；该发明授权一种半导体激光器及其制备方法是由李宁;齐晓君;王磊;刘亚东设计研发完成，并于2024-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体激光器及其制备方法，其中所述半导体激光器包括P型GaN层：所述P型GaN层包括自下而上依次叠层设置的P型AlGaN电子阻挡层、非故意掺杂GaN层和高温P型GaN层；所述P型GaN层生长于纯氮气氛围，降低了氢气在高温下对GaN层的破坏，且具有较高的自由空穴浓度，进一步提高了电子和空穴的辐射复合效率，更重要的是，在P型GaN层的P型AlGaN电子阻挡层和高温P型GaN层之间插入非故意掺杂GaN层，可以覆盖来自底层延伸的外延缺陷，同时还可以作为缓冲层，减少晶格失配和热失配，提高P型GaN层整体的晶体质量。
本发明授权一种半导体激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器包括P型GaN层；所述P型GaN层包括自下而上依次叠层设置的低温P型GaN层、P型AIGaN电子阻挡层、非故意掺杂GaN层、高温P型GaN层和P型欧姆接触层；所述P型GaN层生长于纯氮气氛围；所述非故意掺杂GaN层的厚度范围为50nm至100nm。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人度亘核芯光电技术(苏州)有限公司;度亘光电科技(南通)有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号东北区32幢；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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