恭喜北方工业大学谢亮获国家专利权
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龙图腾网恭喜北方工业大学申请的专利基于Fe3Ga合金的磁性绝缘体外延薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119320985B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411444608.3，技术领域涉及：C30B23/02；该发明授权基于Fe3Ga合金的磁性绝缘体外延薄膜及其制备方法是由谢亮;杨金宝;谢文钦;闵月淇;蒋昊岚设计研发完成，并于2024-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于Fe3Ga合金的磁性绝缘体外延薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种基于Fe3Ga合金的新型磁性绝缘体外延薄膜及其制备方法，属于自旋电子学中自旋存储和逻辑运算技术领域，先将块体Fe3Ga靶材设置到直流电源位置，利用耐高温银胶将衬底固定在表盘中心位置，使靶材与衬底铝酸锶钽镧LSAT相对应，然后抽真空；接着开启直流电源，在靶材表面进行预溅射准备，辉光稳定后，开始正式溅射，溅射完成后，即可得到磁性绝缘体外延薄膜。本申请得到的磁性绝缘体外延薄膜具有优异的电学性能，其电阻率室温下达到400mΩ.cm；通过磁滞回线的测量发现其面内饱和磁化强度约为1100emucm3，其有效磁各向异性常数Keff较大，约为0.6×107ergcm3。
本发明授权基于Fe3Ga合金的磁性绝缘体外延薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于Fe3Ga合金的磁性绝缘体外延薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：步骤一、将块体Fe3Ga靶材设置到直流电源位置，利用耐高温银胶将衬底固定在表盘中心位置，使靶材与衬底相对应，启动真空系统，抽真空；步骤二、开启直流电源，在靶材表面进行预溅射准备，辉光稳定后，开始正式溅射，溅射完成后，即可得到基于Fe3Ga合金的磁性绝缘体外延薄膜；衬底为LSAT衬底；步骤一中，靶与衬底之间的距离设置为90mm，抽真空至真空度为1.3×10-5Pa；步骤一中，薄膜生长过程中，衬底温度保持在550℃，Ar气的压力恒定在1.3Pa，Ar气的流量为50sccm，N2的流量为0sccm。
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