恭喜西安理工大学刘和光获国家专利权
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龙图腾网恭喜西安理工大学申请的专利Ni纳米颗粒增强多孔电磁屏蔽薄膜及制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119233616B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411341373.5,技术领域涉及:H05K9/00;该发明授权Ni纳米颗粒增强多孔电磁屏蔽薄膜及制备方法是由刘和光;邵晨骞;田娜;游才印设计研发完成,并于2024-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本Ni纳米颗粒增强多孔电磁屏蔽薄膜及制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开Ni纳米颗粒增强多孔电磁屏蔽薄膜的制备方法,具体包括以下步骤:步骤1,PMMA@NiTi3C2TxMXene纳米球的制备;步骤2,NiTi3C2TxMXene多孔复合薄膜的制备。还公开了Ni纳米颗粒增强多孔电磁屏蔽薄膜,通过Ni纳米颗粒与Ti3C2TxMXene在性能方面的协同作用,以及多孔结构的阻抗匹配调控,解决了单一的Ti3C2TxMXene电磁屏蔽性能较低的问题。
本发明授权Ni纳米颗粒增强多孔电磁屏蔽薄膜及制备方法在权利要求书中公布了:1.Ni纳米颗粒增强多孔电磁屏蔽薄膜的制备方法,其特征在于,具体包括以下步骤:步骤1,PMMA@NiTi3C2TxMXene纳米球的制备;步骤1具体按照以下步骤实施:步骤1.1,模板法制备PMMATi3C2TxMXene纳米球混合溶液:首先配制浓度为10mgmL~20mgmL的PMMA纳米球分散液,超声处理1h~3h,再配制浓度为2mgmL~4mgmL的Ti3C2TxMXene纳米片分散液;将Ti3C2TxMXene纳米片分散液并缓慢滴入PMMA纳米球分散液中,混合溶液中PMMA和Ti3C2TxMXene纳米片的质量比为1:1~2,将混合溶液冰浴超声处理20min~40min,磁力搅拌2h~5h,得到PMMATi3C2TxMXene纳米球混合溶液;步骤1.1中:PMMA纳米球的尺寸是200nm~600nm;Ti3C2TxMXene纳米片由Ti3AlC2粉末经化学刻蚀法制备得到,刻蚀剂为HClLiF;步骤1.2,水热法制备PMMA@NiTi3C2TxMXene纳米球:将NiCl2·6H2O溶于无水乙醇中,配成浓度为0.6mgmL~4mgmL的溶液,超声处理20min~40min混合均匀,将溶液滴加至步骤1.1得到的PMMATi3C2TxMXene纳米片混合溶液中,待溶液滴加完后继续搅拌1h~3h得到混合溶液A,将NaOH加入混合溶液A中,NaOH在混合溶液A中的浓度为0.5gmL~0.8gmL,然后冰浴搅拌20min~40min使其充分溶解得到混合溶液B;再将N2H4·H2O滴加至混合溶液B中,N2H4·H2O与无水乙醇的体积比为1:1~3,搅拌20min~40min得到混合溶液C,将充分搅拌的混合溶液C放入不锈钢反应釜,接着在120℃~150℃的干燥箱中进行10h~15h的水热反应,反应完毕后,洗涤干燥得到PMMA@NiTi3C2TxMXene纳米球粉末;步骤2,NiTi3C2TxMXene多孔复合薄膜的制备;步骤2具体按照以下步骤实施:取浓度为2mgmL~4mgmLTi3C2TxMXene纳米片分散液进行第一层抽滤,待第一层水分抽干后,将根据步骤1.2制备PMMA@NiTi3C2TxMXene纳米球粉末溶于去离子水中,制成浓度为8mgmL~16mgmL的分散液,再将8mgmL~16mgmL的PMMA@NiTi3C2TxMXene纳米球分散液进行第二层抽滤,待第二层水分抽干后再取的浓度为2mgmL~4mgmL的Ti3C2TxMXene纳米片分散液进行第三层抽滤;三层滤液的体积比为1:1~4:1,整个薄膜水分抽干后带滤膜一同取出,真空冷冻干燥20h~28h后脱离滤膜,即获得PMMA@NiTi3C2TxMXene薄膜,将其置于石英舟中,放入管式炉,通Ar气体保护,以2℃min~5℃min的升温速率加热至400℃~600℃,保温1h~3h,随炉冷却至室温后获得NiTi3C2TxMXene多孔复合薄膜。
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