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龙图腾网恭喜吉林大学申请的专利一种带隙可调的紫外发光的含Ga纳米晶的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119193149B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411309535.7，技术领域涉及：C09K11/62；该发明授权一种带隙可调的紫外发光的含Ga纳米晶的制备方法是由宁甲甲;秦悦设计研发完成，并于2024-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种带隙可调的紫外发光的含Ga纳米晶的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体材料技术领域，公开了一种带隙可调的紫外发光的含Ga纳米晶的制备方法，包括以下步骤：S1：将锌前驱物、铟前驱物、镓前驱物、硫前驱物、有机胺和1‑十八烯加入三颈烧瓶中，混合均匀；S2：初始反应：将混合物在氮气保护下加热并保持，形成ZnInGaSZIGSMagicSizeClustersMSCs；逐渐升高反应温度并维持，以促进MSCs向ZnInGaS纳米晶的转化；S3：纳米晶体的析出与纯化；S4：通过离心法纯化得到带有过渡壳层的ZIGSZnGaS纳米晶体；S5：进一步生长ZnS壳层，用丙酮或乙醇溶剂析出纳米晶体，重复洗涤以得到纯化的ZIGSZnGaSZnS纳米晶体。通过调整前驱物中锌、铟、镓的化学计量比，能够实现ZIGS纳米晶体带隙的精确控制，使得该纳米晶体适用于不同波长范围的光电子器件，尤其是紫外光电子应用。

本发明授权一种带隙可调的紫外发光的含Ga纳米晶的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种带隙可调的紫外发光的含Ga纳米晶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：前驱物准备将锌前驱物、铟前驱物、镓前驱物、硫前驱物、有机胺和1-十八烯加入三颈烧瓶中，混合均匀；S2：反应条件设置初始反应：将混合物在氮气保护下加热并保持，形成ZIGSMSCs；升温反应：逐渐升高反应温度并维持，以促进MSCs向ZnInGaS纳米晶的转化；冷却处理：反应结束后，反应溶液自然冷却至室温；S3：纳米晶体的析出与纯化在室温下，向反应溶液中加入反溶剂，促使ZIGS纳米晶体析出；通过离心法收集纳米晶体，并用正己烷清洗，重复洗涤三次，纯化得到的ZIGS纳米晶体悬浮液；S4：外延生长过渡壳层过渡壳层准备：将ZIGS核壳纳米晶与乙酸锌、乙酰丙酮镓、有机胺、有机酸和1-十八烯装入三颈烧瓶中，脱气处理以去除水分和溶剂；过渡壳层生长：将反应溶液加热，并通过注射泵将硫前驱体溶液注入，以外延生长ZnGaS过渡壳层；后处理：反应完成后，冷却至室温，再次加入反溶剂析出纳米晶体，通过离心法纯化得到带有过渡壳层的ZIGSZnGaS纳米晶体；S5：进一步生长ZnS壳层ZnS壳层准备：将纯化后的ZIGSZnGaS核壳纳米晶与乙酸锌、有机胺、1-十八烯装入三颈烧瓶中，再次进行脱气处理；ZnS壳层生长：将反应溶液加热，并加入油酸锌溶液和硫前驱体溶液，进行ZnS壳层的外延生长；纯化处理：冷却至室温后，用丙酮或乙醇溶剂析出纳米晶体，重复洗涤以得到纯化的ZIGSZnGaSZnS纳米晶体。

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