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恭喜中南大学董健获国家专利权

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龙图腾网恭喜中南大学申请的专利一种高灵敏度悬浮太赫兹超材料传感器及其应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118937427B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411284418.X,技术领域涉及:G01N27/22;该发明授权一种高灵敏度悬浮太赫兹超材料传感器及其应用是由董健;刘文涛;罗衡;王蒙;肖程望设计研发完成,并于2024-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。

一种高灵敏度悬浮太赫兹超材料传感器及其应用在说明书摘要公布了:本发明公开了一种高灵敏度悬浮太赫兹超材料传感器及其应用,包括N×M个周期性排列的单元结构,所述单元结构包括基底、介质支撑层以及设置在介质支撑层上的金属层;所述介质支撑层和金属层都为“V”字图形,所述“V”字图形为两个,口对口对称排列;所述“V”字图形的线宽为4‑8μm,两边线长为30‑45μm,夹角角度为35°‑45°,底部宽度为8‑10μm;“V”字图形之间的间隔为4‑8μm;所述介质支撑层为光刻胶,折射率为1.50‑1.60,介质支撑层的厚度和金属层的厚度比为70‑80:1;本发明的传感器结构简单,成本低,尺寸小,易于加工,传感器的灵敏度高,应用于生物医学检测领域。

本发明授权一种高灵敏度悬浮太赫兹超材料传感器及其应用在权利要求书中公布了:1.一种高灵敏度悬浮太赫兹超材料传感器,其特征是,包括N×M个周期性排列的单元结构,所述N,M为大于0的自然数,所述单元结构包括基底1、介质支撑层2以及设置在介质支撑层上的金属层3;所述介质支撑层2和金属层3都为“V”字图形,所述“V”字图形为两个,口对口对称排列;所述“V”字图形的线宽为4-8μm,“V”字图形的两边线长为30-45μm,“V”字图形的夹角角度为30°-50°,“V”字图形的底部宽度为8-10μm;“V”字图形之间的间隔为4-8μm;所述介质支撑层2为光刻胶,折射率为1.50-1.60,所述介质支撑层2的厚度和所述金属层3的厚度比为70-80:1。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中南大学,其通讯地址为:410012 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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