买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜哈尔滨工业大学申请的专利水平梯度结晶法制备单晶生长用碲铟铅多晶料的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119121391B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411254058.9，技术领域涉及：C30B28/06；该发明授权水平梯度结晶法制备单晶生长用碲铟铅多晶料的方法是由雷作涛;孔祥然;程世超;冷宏伟;刘涛;朱崇强;杨春晖设计研发完成，并于2024-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本水平梯度结晶法制备单晶生长用碲铟铅多晶料的方法在说明书摘要公布了：水平梯度结晶法制备单晶生长用碲铟铅多晶料的方法，它涉及碲铟铅多晶料的制备方法。它是要解决现有PIT单晶体开裂严重、光学吸收强的技术问题。本方法：称取Pb源、In源、Te源和In2Te3原料放在一个坩埚中，将提供气氛压力的Te放在另一个坩埚中，再将两个坩埚置于石英管两端，充入惰性气体后熔封；将石英管放入双温区水平管式炉中，原料坩埚放在高温区，另一坩埚放在低温区，经过反应阶段、均质化阶段、梯度结晶阶段和降温阶段，得到碲铟铅多晶料。用该多晶料生长单晶，厚度为4.385mm并双面抛光的晶片在2.09μm处光学吸收小于0.17cm‑1，可借助激光器泵浦输出中远红外激光，用于工业、医疗和能源领域。

本发明授权水平梯度结晶法制备单晶生长用碲铟铅多晶料的方法在权利要求书中公布了：1.水平梯度结晶法制备单晶生长用碲铟铅多晶料的方法，其特征在于，该方法按以下步骤进行：一、在惰性气氛的手套箱中，按照Pb:In:Te的化学计量比为1:6:10称取Pb源、In源和Te源，再按Pb源、In源和Te源总质量的1％～7％称量额外的In2Te3，再称量出提供气氛压力的Te；二、将Pb源、In源、Te源和额外的In2Te3放在一个坩埚中，将提供气氛压力的Te放在另一个坩埚中，再将两个坩埚分别置于石英管的两端，并在石英管中充入0.1～0.99atm的惰性气体，然后利用氢氧火焰将石英管熔融密封；三、加热反应制备PIT多晶料：1反应阶段：将密封后的石英管放入双温区水平管式炉中，Pb源、In源、Te源和额外的In2Te3放在高温区，提供气氛压力的Te放在低温区；高温区以5～20℃h的速率升温至350～450℃，恒温3～10小时，然后继续以5～10℃h的速率升温至700～800℃并保持50～100小时；在此阶段中，低温区以5～20℃h的速率升温至500℃，并在此阶段全程于500℃下保温；2均质化阶段：反应阶段完成后，将低温区温场以10～30℃h的速率快速升温至950～1000℃，高温区温场保持700～800℃不变，保温50～100h；3梯度结晶阶段：低温区温度保持在950～1000℃不变；高温区以20～50℃h的速率快速变换温场，在高温区形成具有1～5℃cm梯度的温场，以0.1～10mmh的速率进行梯度结晶；4降温阶段：梯度结晶完成后，高温区以15～30℃h的速率降温至室温，同时低温区以30～60℃h的降温速率降温至室温，得到单晶生长用碲铟铅多晶料。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人哈尔滨工业大学，其通讯地址为：150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。