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龙图腾网恭喜江苏应能微电子股份有限公司申请的专利一种自适应超结LDMOS结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118782654B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411081577.X，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权一种自适应超结LDMOS结构是由孙明光;李振道;朱伟东设计研发完成，并于2024-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种自适应超结LDMOS结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种自适应超结LDMOS结构，包括：第一导电类型衬底，在第一导电类型衬底上方设置有第二导电类型外延层，第二导电类型外延层表面设置有预设结深的第一导电类型体区，第一导电类型体区表面设置有相切的第一导电类型背栅注入区和第二导电类型源极注入区；第二导电类型外延层的上表面内设有超结区，且位于第一导电类型体区的右侧；在超结区中，设置有沿超结区纵向一一交替分布的m列第一导电类型超结区和第二导电类型超结区。本发明可以随着外部电压的变化自适应改性超结结构的状态，不仅可以通过超结结构的辅助耗尽功能提升LDMOS器件的性能，从而可以在保证器件耐压的情况下，利用栅极对超结区的反型，实现LDMOS更低的比导通电阻。

本发明授权一种自适应超结LDMOS结构在权利要求书中公布了：1.一种自适应超结LDMOS结构，其特征在于，包括：第一导电类型衬底，在所述第一导电类型衬底上方设置有第二导电类型外延层，所述第二导电类型外延层表面设置有预设结深的第一导电类型体区，所述第一导电类型体区表面设置有相切的第一导电类型背栅注入区和第二导电类型源极注入区；所述第二导电类型外延层的上表面内设有超结区（400），且位于第一导电类型体区的右侧；在超结区（400）中，设置有沿所述超结区（400）纵向一一交替分布的m列第一导电类型超结区和第二导电类型超结区；所述第二导电类型外延层的上表面上设置有场氧化层（600），所述第二导电类型源极注入区右侧与第一导电类型体区右侧之间的表面上方设置为栅氧化层Ⅰ（610），超结区（400）中第一导电类型超结区上方区域内的表面上方设置为栅氧化层Ⅱ（620）或者超结区（400）上方区域内的表面上方均设置为栅氧化层Ⅱ（620）；所述栅氧化层Ⅰ和栅氧化层Ⅱ上方均制作有栅极多晶硅（800），且栅氧化层Ⅱ上方的栅极多晶硅沿横向延伸与栅氧化层Ⅰ上方的栅极多晶硅（800）连接。

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