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龙图腾网恭喜北京科技大学申请的专利一种二维MXene基活性电极材料、制备方法及人工突触器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119160893B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411065979.0，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权一种二维MXene基活性电极材料、制备方法及人工突触器件是由张跃;李天铎;廖庆亮;荀晓晨;赵璇;高放放;徐良旭;李苇航;高滋檀设计研发完成，并于2024-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种二维MXene基活性电极材料、制备方法及人工突触器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种二维MXene基活性电极材料、制备方法及人工突触器件，包括：利用湿法刻蚀法，从MXene前驱体中制备出二维MXene材料；利用MXene表面丰富的高电负性官能团，对MXene进行原位硫化，生长出微米级别的硫单质，得到的S@MXene可用于突触的活性电极材料。该活性电极材料活性位点多，有利于突触在脉冲曲线下表现出高的动态范围。负载硫颗粒的MXene可以进一步与一维纳米材料混合搅拌，超声，可得到进一步改性的活性电极材料。通过一维纳米材料的插层作用调控MXene层间距，可以得到不同阻变特性的突触器件。本发明工艺简单，易于规模化生产，可拓展性高，在神经形态器件领域拥有广阔的应用前景。

本发明授权一种二维MXene基活性电极材料、制备方法及人工突触器件在权利要求书中公布了：1.一种二维MXene基活性材料的制备方法，其特征在于：所述二维MXene基活性材料用于人工突触器件，包括以下步骤：S1.采用MXene前驱体MAX相制备出二维MXene纳米片分散液；S2.在所述二维MXene纳米片分散液上原位生长硫颗粒，制备出硫化MXene纳米片分散液；具体包括：利用S单质与Na2S·9H2O在第二设定温度下反应生成Na2S4溶液，将其与少层MXene溶液混合，在甲酸的作用下多硫化钠发生歧化反应在MXene上负载上微米级的硫单质，进一步通过离心，水洗，得到硫化MXene纳米片分散液；S3.在所述硫化MXene纳米片分散液中插层一维纳米材料,经处理后得到二维MXene基活性材料，具体包括：硫化MXene纳米片分散液与一维纳米材料在室温下搅拌混合24h以上，再超声处理15min，即可得到二维MXene基活性电极材料，所述一维纳米材料通过在二维MXene层间的插层作用，从而改变了电子以及离子在MXene层间的输运路径。

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