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龙图腾网恭喜北京晶亦精微科技股份有限公司申请的专利一种晶圆高K金属栅化学机械抛光方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118596012B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410944007.2，技术领域涉及：B24B37/00；该发明授权一种晶圆高K金属栅化学机械抛光方法及半导体器件是由何艳红;赵光远;蔡长益;罗付;何家鑫设计研发完成，并于2024-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶圆高K金属栅化学机械抛光方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种晶圆高K金属栅化学机械抛光方法及半导体器件，属于半导体晶圆加工技术领域。本发明能够通过将高K金属栅化学机械抛光划分为两个阶段，即初步抛光和精细抛光。在初步抛光阶段采用恒定抛光速率控制方式，快速去除大部分抛光层，确保整体抛光效率。基于初步抛光后的剩余膜厚确定精细抛光时的初始抛光压力，以尽量确保同时完成抛光，减小抛光终点时各区域的总抛光时间差异、以减少过抛和欠抛缺陷。在精细抛光阶段恒定压力抛光，并在某一区域达到抛光终点时，将该区域抛光压力调到较小以停止对该区域抛光，避免在接近抛光终点时不断调整压力、避免造成抛光速率漂移，提升了终点控制准确性，减少了过抛和欠抛缺陷。

本发明授权一种晶圆高K金属栅化学机械抛光方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种晶圆高K金属栅化学机械抛光方法，其特征在于，包括：采用恒定抛光速率控制方式，对所述晶圆的抛光层进行初步抛光，直至抛光层的平均剩余膜厚减小至预设厚度；获取初步抛光后晶圆表面各区域的抛光层的剩余膜厚；基于各区域的剩余膜厚，以相同的剩余抛光时间为目标，确定各区域的初始抛光压力；基于各区域的初始抛光压力，采用恒定抛光压力控制方式，对初始抛光后的晶圆进行精细抛光；在精细抛光过程中，若任一区域达到抛光终点，将该区域的抛光压力由初始抛光压力降低至预设压力，以停止对该区域的抛光，直至所有区域达到抛光终点；所述基于各区域的剩余膜厚，以相同的剩余抛光时间为目标，确定各区域的初始抛光压力包括：针对晶圆表面的任一区域，将该区域的剩余膜厚除以目标剩余抛光时间，得到该区域的目标抛光速率；基于该区域的所述目标抛光速率，确定目标抛光速率对应的抛光压力，作为该区域的初始抛光压力。

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