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龙图腾网恭喜西安电子科技大学杭州研究院;西安电子科技大学申请的专利一种纤锌矿铁电材料硅基衬底集成方法及存储器应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118471822B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410924048.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种纤锌矿铁电材料硅基衬底集成方法及存储器应用是由周久人;孙温馨;韩根全;郝跃设计研发完成，并于2024-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种纤锌矿铁电材料硅基衬底集成方法及存储器应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种纤锌矿铁电材料硅基衬底集成方法及存储器应用，用于在硅基衬底上制备纤锌矿铁电材料。首先，清洗硅衬底并去除自然氧化层，随后在精密调控的磁控溅射条件下，于真空或非真空环境中沉积纤锌矿铁电薄膜，依赖环境选择调整工艺参数。接下来，采用磁控溅射或电子束蒸发技术在铁电薄膜上淀积顶电极层，过程支持真空互联传输或原位处理以适应不同互联环境。此法优化了纤锌矿铁电材料与硅衬底的集成工艺，提升了器件制备的可靠性与灵活性。

本发明授权一种纤锌矿铁电材料硅基衬底集成方法及存储器应用在权利要求书中公布了：1.一种纤锌矿铁电材料硅基衬底集成方法，其特征在于，包括以下步骤：S00、准备半导体硅衬底；S10、通过稀氟氢酸除去硅表面的自然氧化物；S20、对于制备全链条环境为真空互联的情况，保持磁控溅射设备的射频功率、温度以及N2流量在设定范围内，在硅上通过物理气相沉积中的溅射技术将纤锌矿铁电材料沉积在半导体硅衬底上制备纤锌矿结构铁电薄膜；对于制备全链条环境为非真空互联的情况，降低磁控溅射设备的基压，在硅上通过物理气相沉积中的溅射技术将纤锌矿铁电材料沉积在半导体硅衬底上制备纤锌矿结构铁电薄膜；S30、在真空互联环境中，将纤锌矿结构铁电薄膜样品传送至金属沉积设备，通过磁控溅射或电子束蒸发工艺，在纤锌矿结构铁电薄膜上方淀积一层顶电极层；在非真空互联环境中，在磁控溅射设备中原位生长金属顶电级层或传送至金属沉积设备氩气轰击纤锌矿结构铁电薄膜表面后再生长金属顶电级层；S20步骤中，制备得到的纤锌矿结构铁电薄膜厚度为5-120nm；S20步骤中，纤锌矿铁电薄膜采用磁控溅射设备制备时射频功率设置为15-40W，温度为25-400℃,N2流量为15-100sccm。

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