武汉工程大学黄筱妍获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉工程大学申请的专利一种基于烷基胺插层的MoS2/C复合材料及其制备方法、应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118851264B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-08发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410908593.5，技术领域涉及：H01M4/136；该发明授权一种基于烷基胺插层的MoS2/C复合材料及其制备方法、应用是由黄筱妍;石长玮;姜兴茂;史瑨媛设计研发完成，并于2024-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于烷基胺插层的MoS2/C复合材料及其制备方法、应用在说明书摘要公布了：本发明涉及二次电池储能技术领域，尤其涉及一种基于烷基胺插层的MoS2C复合材料及其制备方法、应用，所述方法包括，将钼酸盐、硫脲分散在去离子水中，加入盐酸，搅拌后进行第一次水热反应；将第一次水热反应得到样品与盐酸混合后，加入烷基胺化合物，进行第二次水热反应，得到MoS2C前驱体；将所述MoS2C前驱体进行烘干、烧结，得到MoS2C复合材料。采用本发明制备方法制得的复合材料具有稳定、可靠的支撑结构，既防止二硫化钼结构劣变，又可显著提高电子的电导率。在离子和电子之间建立了双连续通道，极大程度上的解决了对高效钠离子存储的需求。
本发明授权一种基于烷基胺插层的MoS2/C复合材料及其制备方法、应用在权利要求书中公布了：1.一种基于烷基胺插层的MoS2C复合材料在钠离子电池负极材料中的应用，其特征在于，所述基于烷基胺插层的MoS2C复合材料的制备方法包括，将钼酸盐、硫脲分散在去离子水中，加入盐酸，搅拌后进行第一次水热反应；所述钼酸盐和硫脲的摩尔比为1：30；所述钼酸盐包括四水合钼酸铵或钼酸钾；将第一次水热反应得到样品与盐酸混合后，加入烷基胺化合物，进行第二次水热反应，得到MoS2C前驱体；所述第一次水热反应的条件为：反应温度140～200℃，时间12～48h；第一次水热反应得到样品与烷基胺化合物的摩尔比例为1：1；所述烷基胺化合物包括十四胺、十六胺或十八胺中一种；所述第二次水热反应的条件包括反应温度140～200℃，时间12～48h；将所述MoS2C前驱体进行烘干、烧结，得到MoS2C复合材料；其中，烧结在保护气氛中进行，烧结温度为700-900℃，保温时间为2-3h。
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