恭喜清华大学陈政宇获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜清华大学申请的专利应用于压接型MOSFET的压装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110767637B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810829497.6，技术领域涉及：H01L25/07；该发明授权应用于压接型MOSFET的压装结构是由陈政宇;曾嵘;赵彪;余占清;刘佳鹏;周文鹏设计研发完成，并于2018-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本应用于压接型MOSFET的压装结构在说明书摘要公布了：一种应用于压接型MOSFET的压装结构，包括第一铜块，弹性结构，压接型MOSFET，电路板和第二铜块。其中，多个压接型MOSFET能够形成并联阵列，排布成环形或矩阵型。所述压装结构的结构简单、紧凑，通流能力和散热能力增强，拓宽了适用范围。
本发明授权应用于压接型MOSFET的压装结构在权利要求书中公布了：1.一种压装结构，应用于压接型MOSFET，其特征在于：包括第一铜块，弹性结构，压接型MOSFET，电路板，第二铜块；其中，所述第一铜块底部设有凹槽，所述弹性结构与所述压接型MOSFET置于所述凹槽中；所述弹性结构的顶部与所述第一铜块电气连接；所述弹性结构的底部与所述压接型MOSFET的漏极顶部耦接；在没有外部压力的情况下，所述第一铜块与所述电路板不接触，所述第一铜块仅通过所述弹性结构与所述压接型MOSFET漏极电气连接；所述压接型MOSFET设置于所述电路板上面，并且所述压接型MOSFET底部源极和栅极电气连接所述电路板；所述电路板下面刚性连接第二铜块。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人清华大学，其通讯地址为：100084 北京市海淀区清华园；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号