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龙图腾网恭喜日产自动车株式会社申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111937123B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201880091847.1，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体装置及其制造方法是由丸井俊治;林哲也;沼仓启一郎;倪威;田中亮太;竹本圭佑设计研发完成，并于2018-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置具有：在主面形成有槽100的基板10、具有在槽100的底部配置的部分的第一导电型的漂移区域20、与漂移区域20连接而在槽100的一方的侧面配置的第二导电型的阱区30、与漂移区域20分离而在槽100的侧面配置在阱区30的表面的第一导电型的第一半导体区域40、在槽100的内部间隔着漂移区域20而与阱区30对置配置的第一导电型的第二半导体区域50、以及在跨越阱区30及第一半导体区域40各自的上表面而形成有开口部且在槽100的深度方向上延伸的栅极沟槽的内部配置并与阱区30对置的栅电极60。

本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具有：基板，其在主面形成有槽；第一导电型的漂移区域，其具有在所述槽的底部配置的部分；第二导电型的阱区，其与所述漂移区域连接，并配置在所述槽的一方的侧面；作为源极区的第一导电型的第一半导体区域，其与所述漂移区域分离，在所述槽的所述侧面配置在所述阱区的表面；作为漏极区的第一导电型的第二半导体区域，其在所述槽的内部间隔着所述漂移区域而与所述阱区对置配置；栅电极，其配置在栅极沟槽的内部配置，与所述阱区对置，所述栅极沟槽跨越所述阱区及所述第一半导体区域各自的上表面而形成有开口部且在所述槽的深度方向上延伸；第一主电极，其在所述槽的所述侧面配置在所述第一半导体区域的表面，与所述第一半导体区域电连接；第二主电极，其与所述第一主电极对置而配置在所述槽的内部，并与所述第二半导体区域电连接；隔离绝缘膜，其在所述第一主电极与所述第二主电极之间填埋所述槽的内部而配置；所述隔离绝缘膜的由所述第一主电极与所述第二主电极夹着的部分由与所述槽的所述侧面并列延伸的分割槽分割。

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