恭喜朗姆研究公司克伦·J·卡纳里克获国家专利权
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龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利在电介质中的高深宽比特征的等离子体蚀刻化学过程获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111886678B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980019733.0，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权在电介质中的高深宽比特征的等离子体蚀刻化学过程是由克伦·J·卡纳里克;萨曼莎·西亚姆-华·坦;潘阳;杰弗里·马克斯设计研发完成，并于2019-03-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本在电介质中的高深宽比特征的等离子体蚀刻化学过程在说明书摘要公布了：提供了一种用于在蚀刻室中在图案化掩模下方蚀刻堆叠件中的特征的方法。用冷却剂温度低于‑20℃的冷却剂冷却堆叠件。使蚀刻气体流入蚀刻室。由蚀刻气体产生等离子体。相对于图案化的掩模将特征选择性地蚀刻到堆叠件中。
本发明授权在电介质中的高深宽比特征的等离子体蚀刻化学过程在权利要求书中公布了：1.一种用于在蚀刻室中在图案化掩模下方蚀刻堆叠件中的特征的方法，其包括：a用冷却剂冷却所述堆叠件，其中冷却剂温度低于-20℃；b使蚀刻气体流入所述蚀刻室，其中，所述蚀刻气体包含蚀刻剂成分，其中，所述蚀刻剂成分包括NF3、XeF2、WF6、SiF4、TaF5、IF7、HF、ClF5、BrF5、AsF5、NF5、PF5、NbF5、BiF5、UF5、SiCl2、CrO2Cl2、SiCl4、TaCl4、HfCl4、TiCl3l、TiCl4l、CoCl2l、TiCl3和TiCl2中的至少一种，并且其中，所述蚀刻气体包含钝化成分，其中，所述钝化成分包括CF4、CHF3、CH3F、CCl4、CF3I、CBr2F2、C2HF5、C2F5Br、H2、O2、H2O、H2O2、BCl3、NH3、COS、CO、SF6和SiF4中的至少一种；c从所述蚀刻气体产生等离子体；以及d相对于所述图案化掩模选择性地蚀刻所述堆叠件中的特征。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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