恭喜朗姆研究公司赖锋源获国家专利权
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龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利在室调节中的抗氧化保护层获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111448640B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201880079241.6，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权在室调节中的抗氧化保护层是由赖锋源;龚波;袁光璧;许晨华;巴德里·瓦拉达拉简设计研发完成，并于2018-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本在室调节中的抗氧化保护层在说明书摘要公布了：在一些示例中，一种用于调节晶片处理室的方法包括：将所述室中的压强设定至预定压强范围；将所述室中的温度设定至预定温度范围；并且将处理气体混合物供应至所述室内的气体分配装置。在所述室内点燃等离子体并且监控所述室中的状态。基于检测到所监控的所述状态到达或越过阈值而实施室调节操作。所述室调节操作可以包括：将预调节膜沉积于所述室的内表面上，将碳氧化硅SiCO膜沉积于所述预调节膜上，以及将保护层沉积于所述SiCO膜上。
本发明授权在室调节中的抗氧化保护层在权利要求书中公布了：1.一种用于调节衬底处理室的方法，所述方法包括：将所述衬底处理室中的压强设定至预定压强范围内；将所述衬底处理室的温度设定至预定温度范围内；将处理气体混合物供应至所述衬底处理室内的气体分配装置，其中所述处理气体混合物包括至少包含氧物质以及氦或氩气的气体；在所述衬底处理室内点燃等离子体：监控所述衬底处理室中的状态；检测所监控的所述状态到达或越过阈值；基于检测到所监控的所述状态到达或越过阈值而实施衬底处理室调节操作，其中所述衬底处理室调节操作包括：在所述衬底处理室中，通过原子层沉积将预调节膜沉积于所述衬底处理室的内表面上，在所述衬底处理室中，通过远程等离子体化学气相沉积将碳氧化硅膜沉积于所述预调节膜上，以及在所述衬底处理室中，通过化学气相沉积将保护层沉积于所述碳氧化硅膜上，其中所述保护层的碳含量与所述碳氧化硅膜不同。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人朗姆研究公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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