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龙图腾网恭喜苏州立琻半导体有限公司申请的专利半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115498078B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211246672.1，技术领域涉及：H10H20/81；该发明授权半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装是由崔洛俊;金炳祚;吴炫智;丁星好设计研发完成，并于2017-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种半导体器件和包括其的半导体器件封装，该半导体器件包括：发光结构，发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和有源层，有源层设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间；第二导电半导体层具有范围为1：1.25至1：100的第二最短距离W2与第一最短距离W1的比率，第二最短距离W2是从第一表面到第二点的距离，第一最短距离W1是从第一表面到第一点的距离；第一表面为第二半导体层的远离有源层的表面；第一点是第二导电半导体层的铝成分与有源层的最靠近第二导电半导体层的阱层的铝成分相同的点；并且第二点是第二导电半导体层具有与铝成分相同的掺杂剂成分的点。

本发明授权半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：发光结构，所述发光结构包括第一半导体层、第二半导体层、电子阻挡层和有源层，所述有源层设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间，所述电子阻挡层设置在所述有源层和所述第二半导体层之间；其中，所述有源层包括势垒层和阱层；所述发光结构还包括第一中间层，所述第一中间层设置在所述电子阻挡层和所述有源层的第一阱层之间，所述第一阱层为所述阱层中最靠近所述电子阻挡层的阱层，其中，所述第一中间层包括第一部分和第二部分，所述第一部分的铝成分低于所述电子阻挡层的铝成分，所述第二部分的铝成分高于所述电子阻挡层的铝成分，其中，所述势垒层和所述阱层包括AlGaN，当初级离子轰击所述发光结构而从所述第一半导体层、所述有源层、所述电子阻挡层、所述第一中间层以及所述第二半导体层溅射出包含铝的二次离子时，沿着所述第一半导体层、所述有源层、所述电子阻挡层、所述第一中间层以及所述第二半导体层的厚度方向产生相应强度的包含铝的二次离子；所述铝的二次离子强度具有：第一强度位置，在所述第一中间层中展示最大强度，其强度为第一强度；第三强度位置，在所述发光结构的整个区域中展示最小强度，其强度为第三强度；第四强度位置，在所述第一半导体层中展示最小强度，其强度为第四强度；第二强度位置，位于与所述第一强度分开的位置处，且为在所述第一强度与所述第四强度之间的区域中的最大峰值强度的位置，其强度为第二强度；其中，所述第一强度位置与所述第三强度位置在第一方向上分开，所述第二强度位置与所述第一强度位置在所述第一方向上分开，所述第一方向为所述发光结构的厚度方向，且为从所述第二半导体层至所述第一半导体层的方向；其中，所述第二半导体层包括第二区域，所述第二区域包括介于所述第一强度和所述第三强度之间的二次离子强度；其中，所述发光结构还包括第三区域，所述第三区域包括介于所述第一强度和所述第二强度之间的二次离子强度；所述有源层设置在所述第三区域内。

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