泰科天润半导体科技(北京)有限公司施广彦获国家专利权
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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种具备栅极保护结构的沟槽栅碳化硅VDMOS获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222776521U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421461062.8，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型一种具备栅极保护结构的沟槽栅碳化硅VDMOS是由施广彦;张长沙;张瑜洁;李昀佶设计研发完成，并于2024-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具备栅极保护结构的沟槽栅碳化硅VDMOS在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种具备栅极保护结构的沟槽栅碳化硅VDMOS，包括：漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面；阱区下侧面连接至所述漂移层上侧面；N型源区下侧面连接至所述阱区上侧面；P型源区下侧面连接至所述阱区上侧面，所述P型源区内侧面连接至所述N型源区外侧面；栅介质层底部连接至所述漂移层上侧面，所述栅介质层外侧面分别连接所述阱区内侧面以及N型源区内侧面；所述栅介质层内设有沟槽；保护层下侧面连接至所述P型源区上侧面；源极金属层分别连接所述P型源区以及N型源区；栅极金属层设于所述沟槽内，所述栅极金属层连接至所述保护层；漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面，提高栅极可靠性。
本实用新型一种具备栅极保护结构的沟槽栅碳化硅VDMOS在权利要求书中公布了：1.一种具备栅极保护结构的沟槽栅碳化硅VDMOS，其特征在于，包括：碳化硅衬底，漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面；阱区，所述阱区下侧面连接至所述漂移层上侧面；N型源区，所述N型源区下侧面连接至所述阱区上侧面；P型源区，所述P型源区下侧面连接至所述阱区上侧面，所述P型源区内侧面连接至所述N型源区外侧面；栅介质层，所述栅介质层底部连接至所述漂移层上侧面，所述栅介质层外侧面分别连接所述阱区内侧面以及N型源区内侧面；所述栅介质层内设有沟槽；保护层，所述保护层下侧面连接至所述P型源区上侧面；源极金属层，所述源极金属层分别连接所述P型源区以及N型源区；栅极金属层，所述栅极金属层设于所述沟槽内，所述栅极金属层连接至所述保护层；以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底下侧面。
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