无锡摩芯半导体有限公司殷富强获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡摩芯半导体有限公司申请的专利一种提高FLASH的Program效率的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118747067B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410815475.X，技术领域涉及：G06F8/30；该发明授权一种提高FLASH的Program效率的方法是由殷富强;梅文超;甘焱林设计研发完成，并于2024-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高FLASH的Program效率的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种提高FLASH的Program效率的方法，涉及计算机技术领域，该方法中包括支持流水编程和命令编程两种模式；通过将总线与Flash控制器内部的写缓存FIFO进行连接，Flash控制器同时对FLASH0和FLASH1进行连接控制，且Flash控制器里设置有写缓存FIFO，从而可以配置写数据Length以及灵活的支持64bit～4096bit的编程；一个Flash控制器对应两个Flash。该提高FLASH的Program效率的方法采用乒乓编程、流水编程的编程方案，提供了灵活的编程Length配置，更高的编程效率，因此能够有效缩短总线写数据占用的时间，提高了用户体验。
本发明授权一种提高FLASH的Program效率的方法在权利要求书中公布了：1.一种提高FLASH的Program效率的方法，其特征在于：包括支持流水编程和命令编程两种模式；总线与Flash控制器内部的写缓存FIFO进行连接，Flash控制器同时对FLASH0和FLASH1进行连接控制，且Flash控制器里设置有写缓存FIFO，配置写数据Length以及灵活的支持64bit~4096bit的编程；一个Flash控制器对应两个Flash。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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