上海韦尔半导体股份有限公司党晓军获国家专利权
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龙图腾网获悉上海韦尔半导体股份有限公司申请的专利一种MOSFET版图及MOSFET器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222776520U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421403433.7，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型一种MOSFET版图及MOSFET器件是由党晓军;董建新;衷世雄;陈嘉聪设计研发完成，并于2024-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MOSFET版图及MOSFET器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种MOSFET版图及MOSFET器件，本申请在第三栅极金属连接区设置有栅极电阻调节区，可以通过版图结构优化，调节不同沟槽栅极多晶硅分压，从而调节实际沟槽栅极的电压。
本实用新型一种MOSFET版图及MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET版图，其特征在于，包括：栅极金属连接区、栅极金属区、栅极接触孔区、源极接触孔区和源极金属区；所述源极金属区设置在所述栅极金属连接区围成的区域中，所述源极金属区上设置有所述源极接触孔区，且所述源极金属区与所述栅极金属区间隔设置；所述栅极金属连接区包括依次相互第一栅极金属连接区、第二栅极金属连接区和第三栅极金属连接区；所述第一栅极金属连接区和第二栅极金属连接区设置在所述源极金属区的相对侧，所述栅极金属区横跨所述源极金属区分别与第一栅极金属连接区和第二栅极金属连接区接触，分别对应形成第一栅极金属接触区和第二栅极金属接触区，所述第一栅极金属接触区和第二栅极金属接触区上的所述栅极接触孔区交错设置；所述第三栅极金属连接区设置有栅极电阻调节区；所述第二栅极金属连接区和第三栅极金属连接区的交界处设置有栅极引出区。
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