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龙图腾网获悉四川晶辉半导体有限公司申请的专利整流半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222775320U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421302649.4，技术领域涉及：H01L23/49；该实用新型整流半导体器件是由曾尚文设计研发完成，并于2024-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本整流半导体器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开了整流半导体器件，包括：包覆在塑封体内的四个二极管芯片以及伸出塑封体的四个引脚，第一二极管芯片和第二二极管芯片安装于第一引脚的上表面，第三二极管芯片和第四二极管芯片安装于第二引脚的上表面，第一导电搭接片连接第三引脚、第一二极管芯片以及第四二极管芯片，第二导电搭接片连接第四引脚、第二二极管芯片以及第三二极管芯片。本实用新型加大第三引脚和第四引脚的折弯高度，使该引脚与对应二极管芯片的上表面高度平齐，导电搭接片无需折弯，直接平铺于该引脚与二极管芯片的上表面即可实现连接，能够选用更轻薄的导电搭接片，有效降低封装后的成品厚度，且简化加工工序。

本实用新型整流半导体器件在权利要求书中公布了：1.整流半导体器件，包括：包覆在塑封体（1）内的四个二极管芯片以及伸出所述塑封体的四个引脚，四个引脚分别是相互间隔设置的第一引脚（2）、第二引脚（3）、第三引脚（4）以及第四引脚（5），所述四个二极管芯片分别是安装于所述第一引脚（2）上表面的第一二极管芯片（6）和第二二极管芯片（7）、以及安装于所述第二引脚（3）上表面的第三二极管芯片（8）和第四二极管芯片（9）；其特征在于，所述第三引脚（4）的上端折弯形成水平伸出的第三连接部（41），使所述第三连接部（41）、所述第一二极管芯片（6）以及所述第四二极管芯片（9）的上表面高度平齐，第一导电搭接片（10）平铺于所述第三连接部（41）、所述第一二极管芯片（6）以及所述第四二极管芯片（9）的上表面；所述第四引脚（5）的上端折弯形成水平伸出的第四连接部（51），使所述第四连接部（51）、所述第二二极管芯片（7）以及所述第三二极管芯片（8）的上表面高度平齐，第二导电搭接片（11）平铺于所述第四连接部（51）、所述第二二极管芯片（7）以及所述第三二极管芯片（8）的上表面。

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