中国科学院上海技术物理研究所于春蕾获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海技术物理研究所申请的专利一种集成有源淬灭器件的单光子雪崩二极管结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222776535U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421297381.X，技术领域涉及：H10F30/225；该实用新型一种集成有源淬灭器件的单光子雪崩二极管结构是由于春蕾;何一苇;李雪;刘大福设计研发完成，并于2024-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种集成有源淬灭器件的单光子雪崩二极管结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种集成有源淬灭器件的单光子雪崩二极管结构，属于半导体光电子技术领域。所述结构包括InP衬底，InP缓冲层，InGaAs吸收层，InGaAsP渐变层，集成一有源淬灭器件的InP电荷层，InP帽层，SiN介质层，N电极，P电极。该器件为一正照射单光子雪崩二极管。其中InP帽层集成一金属‑绝缘‑半导体场效应晶体管MISFET，且场效应晶体管的漏极与InGaAsInP单光子雪崩二极管P极共用一个扩散区。本实用新型将实现单光子雪崩二极管的被动淬灭主动恢复功能，并将有源淬灭器件集成在InP帽层上，减少了电路连接过程中引入的寄生参数，从而可以降低雪崩二极管的雪崩电荷，抑制后脉冲。并且该种集成方式可基于标准的单光子雪崩二极管的制造工艺，仅增加一步光刻步骤便能实现集成。
本实用新型一种集成有源淬灭器件的单光子雪崩二极管结构在权利要求书中公布了：1.一种集成有源淬灭器件的单光子雪崩二极管结构，包括：衬底、缓冲层、吸收层、渐变层、电荷层和集成有源淬灭器件的帽层，其特征在于：该二极管为正照射型光电二极管，光敏面位于二极管帽层表面中心区域；衬底上层依次为InP缓冲层，InGaAs吸收层，InGaAsP渐变层，InP电荷层和集成晶体管的InP帽层；帽层上部中心位置设计一个两步台阶型P型扩散区，该台阶型P型扩散区外环设置一个单步环形P型扩散区，台阶型P型扩散区上方引出二极管P电极，该台阶型P型扩散区作为二极管P极与集成晶体管的共用电极，单步环形P型扩散区引出集成晶体管的源极，在帽层两个扩散区之间环形区域的上方生长介质膜，在介质膜上方生长金属作为集成晶体管的栅极，在InP帽层向下开一N槽，N槽穿过InGaAs吸收层。
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