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龙图腾网恭喜成都恩吉芯科技有限公司申请的专利一种适用于集成功率管的静电自保护电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222776523U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421218443.3，技术领域涉及：H10D89/60；该实用新型一种适用于集成功率管的静电自保护电路是由黄亮;周泽坤设计研发完成，并于2024-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种适用于集成功率管的静电自保护电路在说明书摘要公布了：本实用新型属于集成电路技术领域，具体是涉及一种适用于集成功率管的静电自保护电路。本实用新型针对集成功率管MN1提出了一种驱动电路，驱动电路连接在功率管MN1的栅极，当功率管的漏极引脚发生ESD事件时，驱动电路导通功率管MN1，通过功率管MN1的导通通路进行静电泄放，同时驱动电路对功率管MN1的栅极电压进行钳位，使功率管MN1能够导通但是又不会导致栅氧化层击穿。本实用新型可以在ESD事件到来时提供更高的栅极电压以确保功率管开启，正常通过沟道泻放ESD电流。

本实用新型一种适用于集成功率管的静电自保护电路在权利要求书中公布了：1.一种适用于集成功率管的静电自保护电路，包括集成功率管单元，集成功率管单元包括功率管MN1，功率管MN1为N沟道MOS管，由若干个单位MOS管并联构成，功率管MN1的漏极引出作为集成功率管单元的漏极引脚，功率管MN1的源极引出作为集成功率管单元的接地引脚GND；其特征在于，还包括驱动电路，所述驱动电路连接在功率管MN1的栅极，当功率管的漏极引脚发生ESD事件时，驱动电路导通功率管MN1，通过功率管MN1的导通通路进行静电泄放，同时驱动电路对功率管MN1的栅极电压进行钳位，使功率管MN1能够导通但是又不会导致栅氧化层击穿；所述驱动电路包括MOS管MP1、MOS管MP2、MOS管MN2、MOS管MN3、电阻R1、第一反相器、第二反相器、第一肖特基二极管D1和第二肖特基二极管D2；PWM信号经过第一反相器后输入到MOS管MN2的栅极，PWM信号依次经过第一反相器和第二反相器后输入到MOS管MP1的栅极；MOS管MP1的源极接电源，其漏极接MOS管MP2的源极，MOS管MP2的漏极接功率管MN1的栅极和MOS管MN2的漏极；MOS管MN3的栅极接使能信号，其漏极接MOS管MP2的栅极和电阻R1的一端；MOS管MN2的源极、MOS管MN3的源极、电阻R1的另一端均接地GND；第一肖特基二极管D1的阳极接功率管MN1的栅极，第一肖特基二极管D1的阴极和第二肖特基二极管D2的阴极接MOS管MP2的衬底，第二肖特基二极管D2的阳极接电源。

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