恭喜安徽格恩半导体有限公司蔡琳榕获国家专利权
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龙图腾网恭喜安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种芯片结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222776549U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421210149.8，技术领域涉及：H10H20/832；该实用新型一种芯片结构是由蔡琳榕;吴东东;唐如梦设计研发完成，并于2024-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及LED芯片技术领域，公开了一种芯片结构，其芯片结构包括焊盘、基板、第一半导体层、第二半导体层和有源层；第一半导体层、有源层和第二半导体层在基板上依次生长，有源层位于第一半导体层和第二半导体层之间。本实用新型中引入双叠层电材料设计，通过结构分离，使电极之间减少电迁移，降低器件工作电压，进而提高器件的稳定性。
本实用新型一种芯片结构在权利要求书中公布了：1.一种芯片结构，其特征在于，包括焊盘210、基板300、第一半导体层910、第二半导体层920和有源层500；第一半导体层910、有源层500和第二半导体层920在基板300上依次生长，有源层500位于第一半导体层910和第二半导体层920之间；在第二半导体层920通过欧姆接触形成第一导电层110，在第一导电层110通过电连接有反射层120，反射层120通过电连接有第二导电层130，第二导电层130通过电连接至焊盘210上；第一导电层110、反射层120、第二导电层130和焊盘210共同组成第一电连接层100；在第二半导体层920和有源层中贯穿有凹槽，且凹槽延伸至第一半导体层910内部；在第二半导体层920部分表面上和第一导电层110部分表面上覆盖有第一绝缘层410，在凹陷800侧壁、第一绝缘层410部分表面及第一电连接层100一侧上覆盖有第二绝缘层420；在第二绝缘层420表面与第一半导体层910的表面上通过电连接有第三导电层220，第三导电层220为双叠层电材料结构；第三导电层220与焊盘210共同组成第二电连接层200；在第三导电层220表面、覆盖防止第一电连接层100和第二电连接层200之间直接导通的第三绝缘层430。
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