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龙图腾网恭喜西安邮电大学申请的专利两电平且共模点稳定的单端输入SAR ADC的电容阵列开关方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118399968B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410559526.7，技术领域涉及：H03M1/46；该发明授权两电平且共模点稳定的单端输入SAR ADC的电容阵列开关方法是由辛昕;毛文;平鑫旺;佟星元设计研发完成，并于2024-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本两电平且共模点稳定的单端输入SAR ADC的电容阵列开关方法在说明书摘要公布了：本发明涉及SARADC的电容阵列开关方法，具体涉及一种两电平且共模点稳定的单端输入SARADC的电容阵列开关方法，用于解决单端输入SARADC的电容阵列开关方法输出共模点不稳定且多是三电平结构，导致SARADC的性能受限的不足之处。该两电平且共模点稳定的单端输入SARADC的电容阵列开关方法，使用伪差分结构和分裂电容阵列提高SARADC对电容失配的容忍度，以提高SARADC的精度。

本发明授权两电平且共模点稳定的单端输入SAR ADC的电容阵列开关方法在权利要求书中公布了：1.两电平且共模点稳定的单端输入SARADC的电容阵列开关方法，采用一种两电平且共模点稳定的单端输入SARADC，该两电平且共模点稳定的单端输入SARADC包括比较器、正端分裂电容阵列、负端分裂电容阵列和SAR逻辑电路1；所述正端分裂电容阵列的顶极板的一端通过正端采样开关21连接输入电压VIN，另一端连接比较器的正端，正端分裂电容阵列包括高段DACPH和低段DACPL，高段DACPH和低段DACPL的电容数量以及权重均一致；所述负端分裂电容阵列的顶极板的一端通过负端采样开关22连接参考电压VREF，另一端连接比较器的负端，负端分裂电容阵列包括高段DACNH和低段DACNL，高段DACNH和低段DACNL的电容数量以及权重均一致；所述比较器用于根据比较器正端的电压与负端的电压的比较结果生成第A位数字码DA，A为0至N-1的整数，N为大于1的整数；所述SAR逻辑电路1的输入端连接比较器的输出端，输出端分别连接高段DACPH、低段DACPL、高段DACNH和低段DACNL的底极板开关，SAR逻辑电路1用于根据第A位数字码DA的值控制高段DACPH、低段DACPL、高段DACNH和低段DACNL的底极板的连接电压；其特征在于，包括如下步骤：步骤1、采样阶段；将输入信号VIN连接正端分裂电容阵列中高段DACPH和低段DACPL的顶极板，高段DACPH和低段DACPL的底极板均连接GND；将输入信号VIN连接负端分裂电容阵列中高段DACNH和低段DACNL的底极板，高段DACNH和低段DACNL的顶极板连接参考电压VREF；步骤2、保持阶段；将正端采样开关21、负端采样开关22断开，高段DACPH、低段DACPL的底极板分别连接参考电压VREF和GND，高段DACNH、低段DACNL的底极板分别连接GND和参考电压VREF；步骤3、转换阶段；由比较器比较其正端的电压与负端的电压生成第A位数字码DA，输出至SAR逻辑电路1，由SAR逻辑电路1根据第A位数字码DA的值控制高段DACPH、低段DACPL、高段DACNH和低段DACNL的底极板的连接电压。

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