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龙图腾网恭喜深圳市汇芯通信技术有限公司申请的专利Y型栅的制造方法及包含该Y型栅的电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118431081B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410427912.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权Y型栅的制造方法及包含该Y型栅的电子器件是由罗安林;樊永辉;许明伟;樊晓兵设计研发完成，并于2024-04-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本Y型栅的制造方法及包含该Y型栅的电子器件在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种Y型栅的制造方法及电子器件。该Y型栅的制造方法包括：提供HEMT衬底，并在所述HEMT衬底上沉积介质层；在所述介质层上涂覆一层第一光刻胶,并采用曝光和显影工艺进行处理，得到弧型槽，其中，所述弧型槽的槽底位于所述介质层的顶面；从所述弧型槽的槽底沿竖直方向刻蚀所述介质层，形成I型槽，所述弧型槽与所述I型槽连通并形成Y型槽；对所述第一光刻胶进行烘烤处理，以调整所述弧型槽的角度；去除所述第一光刻胶；在所述Y型槽内制备所述Y型栅；该制造方法只需要旋涂一次光刻胶，一次光刻和刻蚀即可形成Y型槽，能够简化Y型栅的制造工艺步骤，从而提高生产效率以及降低生产成本。

本发明授权Y型栅的制造方法及包含该Y型栅的电子器件在权利要求书中公布了：1.一种Y型栅的制造方法，其特征在于，包括：提供HEMT衬底，并在所述HEMT衬底上沉积介质层；在所述介质层上涂覆一层第一光刻胶,并采用曝光和显影工艺进行处理，得到弧型槽，其中，所述弧型槽的槽底位于所述介质层的顶面；通过一次光刻从所述弧型槽的槽底沿竖直方向刻蚀所述介质层，形成I型槽，最终在所述介质层中形成Y型槽；所述介质层的材质为SiN和或SiO2，刻蚀气体为含氟基的气体和O2，或所述介质层的材质为Al2O3，刻蚀气体为含氯基的气体；对所述第一光刻胶进行烘烤处理，以调整所述弧型槽的角度；去除所述第一光刻胶；在所述Y型槽内制备所述Y型栅；所述在所述Y型槽内制备所述Y型栅还包括：在所述介质层的顶面以及所述Y型槽的槽壁上采用电子束蒸发金属工艺进行处理，形成金属层；在所述金属层上涂覆一层第二光刻胶，并采用曝光和显影工艺进行处理，得到光刻胶柱，其中，所述光刻胶柱填满所述Y型槽，并将部分所述金属层遮挡以及部分所述金属层暴露于所述光刻胶柱外；刻蚀所述金属层，以将暴露于所述光刻胶柱外的部分所述金属层刻蚀；去除所述光刻胶柱，获得所述Y型栅；所述在所述金属层上涂覆一层第二光刻胶，并采用曝光和显影工艺进行处理，得到光刻胶柱，还包括：对所述光刻胶柱进行烘烤处理，以调整所述光刻胶柱的侧壁角度，其中，烘烤温度为110℃-140℃，烘烤时间为60s-300s，所述侧壁角度的调整范围为30°-80°。

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