恭喜深圳市中图仪器股份有限公司崔建国获国家专利权
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龙图腾网恭喜深圳市中图仪器股份有限公司申请的专利微位移传感器的电磁结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222773931U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420693787.3，技术领域涉及：G01B7/02；该实用新型微位移传感器的电磁结构是由崔建国;郭积健;肖田;张鹏设计研发完成，并于2024-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本微位移传感器的电磁结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种微位移传感器的电磁结构，是隔离用于调节台阶仪的扫描机构与待测物之间的测量力的线圈磁场的电磁结构，扫描机构包括扫描待测物的扫描件和与扫描件联动的摆杆，电磁结构包括第一壳体和第二壳体，第一壳体与第二壳体配合形成容纳产生线圈磁场的电感线圈的容纳腔，摆杆靠近电感线圈的一端具有磁性部件，在第一壳体远离磁性部件的一侧具有供电感线圈的导线穿出的穿孔；第二壳体至少部分地套合于第一壳体，在第二壳体靠近扫描件的一侧具有缺口，摆杆通过缺口可摆动地设置于容纳腔。根据本实用新型，能够提供一种结构简单且使微位移传感器提高测量精度的微位移传感器的电磁结构。
本实用新型微位移传感器的电磁结构在权利要求书中公布了：1.一种微位移传感器的电磁结构，是隔离用于调节台阶仪的扫描机构与待测物之间的测量力的线圈磁场的电磁结构，其特征在于，所述扫描机构包括扫描所述待测物的扫描件和与所述扫描件联动的摆杆，所述电磁结构包括第一壳体和第二壳体，所述第一壳体与所述第二壳体配合形成容纳产生所述线圈磁场的电感线圈的容纳腔，所述摆杆靠近所述电感线圈的一端具有磁性部件，在所述第一壳体远离所述磁性部件的一侧具有供所述电感线圈的导线穿出的穿孔；所述第二壳体至少部分地套合于所述第一壳体，在所述第二壳体靠近所述扫描件的一侧具有缺口，所述摆杆通过所述缺口可摆动地设置于所述容纳腔。
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