恭喜中国科学院上海技术物理研究所谢浩获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院上海技术物理研究所申请的专利一种基于垂直液相外延材料的碲镉汞双色雪崩探测器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222776534U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420627242.2，技术领域涉及：H10F30/225；该实用新型一种基于垂直液相外延材料的碲镉汞双色雪崩探测器是由谢浩;郭慧君;沈川;杨辽设计研发完成，并于2024-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于垂直液相外延材料的碲镉汞双色雪崩探测器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于垂直液相外延材料的碲镉汞双色雪崩探测器。所述探测器包括在CdZnTe衬底上采用垂直液相外延生长P型带组分梯度的中波HgCdTe外延材料，利用离子注入形成N+型接触层，并用退火推结方式形成N‑型倍增层。本发明引入台面结和平面结相交错光敏元的器件制备方式，使得台面结区域吸收区位于组分梯度短波材料，平面结区域吸收区位于横向的中波材料，从而利用垂直液相外延方式，制备片上集成的双色波段响应的雪崩红外探测器，降低了双色材料和器件制备难度和成本，有助于在实现宽光谱、多波段的主被动双模探测的同时，降低探测系统的尺寸、重量和功耗。
本实用新型一种基于垂直液相外延材料的碲镉汞双色雪崩探测器在权利要求书中公布了：1.一种基于垂直液相外延材料的碲镉汞双色雪崩探测器，其特征在于，所述探测器包括：衬底（1），在所述衬底（1）上使用垂直液相外延技术生长吸收层，包括短波p-HgCdTe组分梯度层（2）和中波p-HgCdTe外延层（3），离子注入形成n+-HgCdTe接触层（5），退火推结形成n--HgCdTe倍增层（4），公共电极（6）位于中波p-HgCdTe外延层（3）上，光敏元电极（7）位于n+-HgCdTe接触层（5）上。
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