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龙图腾网恭喜中环领先半导体科技股份有限公司申请的专利一种外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118345510B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410205666.4，技术领域涉及：C30B29/68；该发明授权一种外延片及其制备方法是由王彦君;黄飞;杜飞;王洪朝;吴秀秀;谢路肖;罗永恒;陈海波设计研发完成，并于2024-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种外延片及其制备方法。该外延片包括层叠设置的衬底层、成核层、缓冲层、超晶格堆叠层、背势垒层、沟道层、插入层、势垒层以及设于势垒层上的帽层；超晶格层选自AlNGaN叠层、AlNAlaGa1‑aN叠层、AlbGa1‑bNGaN叠层、AlcGa1‑cNAldGa1‑dN叠层中的任意一种，满足：0≤a1；0≤b1；0c1，0≤d1，且dc。本申请通过在缓冲层背离成核层的一侧设置超晶格堆叠层，其中，超晶格堆叠层中的超晶格层可以阻断位错，减缓曲率下降的速率和进行曲率补偿，能够改善外延生长过程中的应力和翘曲，改善微裂纹的发生，提高外延片的质量和均匀性。

本发明授权一种外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种外延片，其特征在于，包括层叠设置的衬底层1、成核层2、缓冲层3、超晶格堆叠层4、背势垒层5、沟道层6、插入层7、势垒层8以及设于所述势垒层8上的帽层9；其中，所述超晶格堆叠层4包括多层超晶格层41和多层氮化镓层42，多层所述超晶格层41中的一层和多层所述氮化镓层42中的一层交替堆叠；多层所述超晶格层41中的一层设置在所述缓冲层3远离所述成核层2的一侧，另一层设置在所述背势垒层5远离所述沟道层6的一侧，所述超晶格层41选自AlNGaN叠层、AlNAlaGa1-aN叠层、AlbGa1-bNGaN叠层、AlcGa1-cNAldGa1-dN叠层中的任意一种，满足：0≤a1；0≤b1；0c1，0≤d1，且dc；所述超晶格堆叠层4包括层叠设置的第一子超晶格层411、第一子氮化镓层421、第二子超晶格层412、第二子氮化镓层422和第三子超晶格层413；所述第一子超晶格层411设置在所述缓冲层3远离所述成核层2的一侧；所述第三子超晶格层413设置在所述背势垒层5远离所述沟道层6的一侧。

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