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龙图腾网恭喜成都今是科技有限公司;大连芯材薄膜技术有限公司申请的专利金属掺杂的超级电容微电极及其制备方法和生物芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118866560B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410109073.8，技术领域涉及：H01G11/30；该发明授权金属掺杂的超级电容微电极及其制备方法和生物芯片是由顾佳烨;苏云鹏;王梦晓;徐进;周大雨设计研发完成，并于2024-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本金属掺杂的超级电容微电极及其制备方法和生物芯片在说明书摘要公布了：公开了一种金属掺杂的超级电容微电极及其制备方法和生物芯片。根据金属掺杂过渡金属氮氧化物和过渡金属氮化物的特殊组合性质，本公开提出一种生物芯片的微电极，可以包括：衬底；集流体层，形成在所述衬底之上，所述集流体层包括第一过渡金属的氮化物薄膜；电极层，形成在所述集流体层之上，所述电极层包括以第二金属掺杂的所述第一过渡金属的氮氧化物薄膜。可选地，本公开的微电极还可以包括黏附层，形成在所述衬底和所述集流体层之间，所述黏附层包括第一过渡金属薄膜。本公开提出的全新的金属掺杂超级电容电极材料、集流体和黏附层生长结合方法，可同时满足生物芯片中微电极对高比电容、快速时间响应和高化学稳定性的性能要求。

本发明授权金属掺杂的超级电容微电极及其制备方法和生物芯片在权利要求书中公布了：1.一种生物芯片的微电极，其特征在于，包括：衬底；集流体层，形成在所述衬底之上，所述集流体层包括第一过渡金属的氮化物薄膜；电极层，形成在所述集流体层之上，所述电极层包括以第二过渡金属掺杂的所述第一过渡金属的氮氧化物薄膜，其中，在所述集流体层的所述第一过渡金属的氮化物薄膜上，基于共沉积工艺，靶材分别为第一过渡金属和第二过渡金属，通过逐步调整沉积工艺参数，在所述集流体层的所述第一过渡金属的氮化物薄膜上实现所述电极层的以第二过渡金属掺杂的所述第一过渡金属的氮氧化物薄膜的原位连续生长，在所述电极层中，以所述第一过渡金属的氮氧化物的晶格作为基础骨架，所述第二过渡金属固溶或以其纳米尺度的氮氧化物弥散分布于所述基础骨架内。

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