恭喜湖北九峰山实验室徐少东获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜湖北九峰山实验室申请的专利一种氧化镓MISFET器件结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117855288B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311725670.5，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权一种氧化镓MISFET器件结构及其制备方法是由徐少东;李明哲;朱厉阳;彭若诗;袁俊设计研发完成，并于2023-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氧化镓MISFET器件结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种氧化镓MISFET器件结构及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该器件结构由下至上包括漏极、氧化镓衬底、外延层和源极。在外延层的表层中设置有电流阻挡层，电流阻挡层中部为电流通道。在电流通道处的外延层中设置有至少一个与电流阻挡层相连的调节层。调节层的底部向外延层靠近氧化镓衬底的内部延伸，延伸方向与电流阻挡层之间呈钝角。外延层的上表面沉积有栅介质层；沿源极指向漏极的方向，栅介质层两侧设置有与外延层形成欧姆接触的欧姆接触金属层。栅介质层上表面设置有栅极，栅极与源极之间设置有钝化介质层。该器件结构在不影响器件阈值电压的情况下可以更好地保护栅介质，提高反向耐压值和短路耐受能力。
本发明授权一种氧化镓MISFET器件结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓MISFET器件结构，其特征在于，由下至上依次包括漏极、氧化镓衬底、外延层和源极；在所述外延层中，所述外延层的表层中设置有电流阻挡层，所述电流阻挡层顶部与所述外延层上表面的距离为0.2~1μm；所述电流阻挡层中部为电流通道；在所述电流通道处的所述外延层中设置有至少一个与所述电流阻挡层相连的调节层；所述调节层的底部向所述外延层靠近所述氧化镓衬底的内部延伸，延伸的方向与所述电流阻挡层之间呈钝角；所述外延层的上表面沉积有栅介质层；沿所述源极指向所述漏极的方向，所述栅介质层两侧设置有与所述外延层形成欧姆接触的欧姆接触金属层；所述栅介质层上表面设置有栅极，所述栅极与所述源极之间设置有钝化介质层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖北九峰山实验室，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区九龙湖街9号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号