恭喜南京航空航天大学;太原理工大学姚佳烽获国家专利权
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龙图腾网恭喜南京航空航天大学;太原理工大学申请的专利一种基于OECT与EIT结合的成像方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117538401B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311555800.5,技术领域涉及:G01N27/414;该发明授权一种基于OECT与EIT结合的成像方法是由姚佳烽;梁晋铭;高碧晗;柴晓杰;冀健龙;刘凯设计研发完成,并于2023-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于OECT与EIT结合的成像方法在说明书摘要公布了:本发明开发了一种基于OECT与EIT结合的成像方法,其属于传感器这一技术领域,其技术要点在于,包括:基底、OECT阵列电极组件、电解液;基底使用不导电材料制成,其形状为长方形;OECT阵列电极组件包括八个OECT,在基底的每边上设置2个OECT;每个所述OECT均包括:源极、栅极、漏极以及沟道;所述沟道用于连接源极和漏极的通道,使用有机材料PEDOT:PSS制备而成;其中,在基底的上方还设置有电解液。采用本申请的一种基于OECT与EIT结合的成像方法,可以方便的对细胞或组织进行监测。
本发明授权一种基于OECT与EIT结合的成像方法在权利要求书中公布了:1.一种基于OECT与EIT结合的成像方法,其特征在于,其包括如下步骤:第一,计算空的敏感场时的栅极分流电流矩阵I'G-空;I'G-空的获取方法是:首先,在微尺度细胞检测传感器未添加细胞时获取基础数据;所述微尺度细胞检测传感器,包括:基底100、OECT阵列电极组件200、电解液300;其中,基底使用不导电材料制成,其形状为长方形;其中,OECT阵列电极组件200包括八个OECT,在基底的每边上设置2个OECT;每个所述OECT均包括:源极、栅极、漏极以及沟道;所述沟道用于连接源极和漏极的通道,使用有机材料PEDOT:PSS制备而成;其中,在基底的上方还设置有电解液;所述源极和漏极共同作为电极加电压来测量电流大小;所述栅极作为EIT场域中相应的激励电极;所述沟道部分作为EIT场域中的测量电极;所述电解液作为EIT理论中的敏感场域;所述OECT为有机电化学晶体管;所述EIT表示电阻抗断层成像方法;然后,求解空的敏感场时的栅极分流电流矩阵;第二,计算待测细胞或组织放置在电解液时的栅极分流电流矩阵I′G-细胞;I′G-细胞的获取方法是:首先,添加待测细胞或组织放置在电解液,获取基础数据;然后,求解待测细胞或组织放置在电解液时的栅极分流电流矩阵;第三,计算栅极分流电流差矩阵ΔI'G:ΔI'G=I'G-细胞-I'G-空;第四,根据ΔI'G,绘制图像;其中,获取基础数据的测量方法为:八个OECT顺序编号为:第1~8号OECT;依次对第1~8号OECT的栅极进行激励,在激励时同时测量第1~8号OECT的源漏输出电流、8个栅极的输入电流;对任意第i号OECT的栅极激励,对1~8号OECT的源漏输出电流以及第i号栅极的输入电流的测量方法如下:激励条件:使用给定的频率f和栅极激励电压VGi的交流信号对第i号OECT的栅极进行激励,第1~8号OECT的漏极均接固定电压VD,第1~8号OECT的源极均接地;测量条件:依次测量第1~8号OECT的源漏输出电流IDi1~IDi8;同时,测量第i号OECT的栅极的输入电流IGi;其中,栅极分流电流矩阵的求解方法,包括如下步骤:步骤一,输入:测量数据和结构参数;所述测量数据包括:栅极激励电压向量VG、源漏测量电流向量ID、栅极测量电流向量IG、漏极激励电压VD、截止电压VT、激励频率f;VG=VG1,VG2,……,VG8;ID=ID11,ID12,…IDij……ID88;IG=IG1,IG2,…IGi……IG8;其中,VGi表示第i号OECT的栅极激励电压,i为1至8的自然数;其中,IDij表示第i号OECT的栅极受激励时,第j号OECT源漏输出电流,i、j均为1至8的自然数;其中,IGi表示第i号OECT的栅极受激励时,经第i号OECT的栅极输入传感器的栅极电流,i为1至8的自然数;所述结构参数包括:W、d、L;W和d是沟道宽和深,L是沟道长度;步骤二,计算比例等效阻抗 表示第i号OECT的栅极受激励时,第j号OECT的沟道与电解液之间的比例等效阻抗,i、j均为1至8的自然数;步骤三,计算栅极分流电流矩阵: 其中,任意元素IGij采用下式计算: IGij表示第i号OECT的栅极受激励时,第i号OECT的栅极到第j号OECT的沟道之间的电流,i、j均为1至8的自然数。
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