恭喜上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司朱孟辉获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司申请的专利离子束检测装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115831695B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211519264.9，技术领域涉及：H01J37/244；该发明授权离子束检测装置及方法是由朱孟辉设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本离子束检测装置及方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种离子束检测装置及方法，通过所述激光单元发射激光，使得所述激光以垂直于所述离子束所在平面的方式照射所述离子束，同时若干所述激光单元沿垂直于所述通道的延伸方向的方向排列，使若干所述激光沿所述离子束的宽度方向排列，通过检测穿过所述离子束且未发生偏移的所述穿过光的强度，使得带状的所述离子束上多个位置处的束流状态都能够被检测，由于所述激光不会影响所述离子束注入，进而能够直接监测注入晶圆表面的所述离子束的束流状态，提升工艺质量检测的准确性。
本发明授权离子束检测装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种离子束检测装置，其特征在于，包括：载体、设置于所述载体的检测模块、阻挡件、驱动机构和位置单元；所述载体包括沿第一方向延伸的通道，所述通道用于带状的离子束穿过；所述检测模块包括激光单元和测量单元；若干所述激光单元沿第二方向排列，所述第二方向垂直于所述第一方向；所述激光单元用于向带状的离子束发射激光，使若干所述激光的路径垂直于所述离子束所在平面并沿所述离子束的宽度方向排列；所述激光穿过所述离子束后未发生偏移的部分形成穿过光，所述测量单元设置于所述穿过光的路径上，用于检测所述穿过光的强度；所述阻挡件和所述测量单元沿所述第一方向排列，所述阻挡件用于阻挡部分离子束；所述驱动机构连接所述阻挡件，用于驱动所述阻挡件沿所述第二方向移动；所述位置单元连接所述阻挡件和所述测量单元，用于获取所述阻挡件的位置和所述测量单元的位置。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司，其通讯地址为：201800 上海市嘉定区娄陆公路497号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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