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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种自适应性高压低损耗功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115832035B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211453120.8，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种自适应性高压低损耗功率器件是由魏杰;朱鹏臣;王俊楠;杨可萌;戴恺纬;李杰;卢金龙;罗小蓉设计研发完成，并于2022-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种自适应性高压低损耗功率器件在说明书摘要公布了：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种自适应性高压低损耗功率器件。相比传统LIGBT结构，本发明在LIGBT阳极端引入自适应性NMOS结构，且该NMOS结构栅极由集成二极管控制。正向导通时，NMOS沟道关闭，电子抽取路径被阻断从而消除了snapback电压折回效应。关断过程中，随着阳极电压上升，NMOS沟道自适应开启，漂移区内电子经阳极NMOS沟道从N+集电区抽出；同时P+集电区与N型缓冲层几乎等电位短接，抑制P+集电区向漂移区内注入空穴，二者共同加速器件关断以降低关断损耗。反向续流时，新器件二极管端顶层P型10第二N漂移区组成超结结构，缩短了新器件反向恢复时间，降低了反向恢复电荷。因此，本发明具有更快的关断速度，更小的关断损耗和更低的反向恢复损耗。

本发明授权一种自适应性高压低损耗功率器件在权利要求书中公布了：1.一种自适应性高压低损耗功率器件，包括自下而上依次层叠设置的P型衬底（1）、绝缘介质层（2）和N型半导体层，其中N型半导体被第一隔离槽和第二隔离槽分为第一N漂移区（31）和第二N漂移区（32），分别用于形成LIGBT部分和二极管部分；所述第一隔离槽由第一隔离槽介质层（92）和位于所述第一隔离槽介质层（92）中的第一隔离槽多晶硅层（91）构成；所述第二隔离槽由第二隔离槽介质层（94）和位于所述第二隔离槽介质层（94）中的第二隔离槽多晶硅层（93）构成；所述第一隔离槽和第二隔离槽均与所述绝缘介质层（2）上表面接触；所述二极管部分在所述第二N漂移区（32）表面沿横向方向分别形成二极管阴极结构、顶层P型区（101）和二极管阳极结构；所述二极管阴极结构包括第二P型阱区（42）和位于第二P型阱区（42）上层的第二P+体接触区（52）；所述二极管阳极结构包括第二N型缓冲层（8）和位于第二N型缓冲层（8）上层的第一N+集电区（62）；所述顶层P型区（101）位于二极管阴极结构和二极管阳极结构之间，其侧面分别与第二N型缓冲层（8）和第二P型阱区（42）接触；所述第二P+体接触区的引出端为二极管阴极，所述第一N+集电区（62）的引出端为二极管阳极；所述LIGBT部分在所述第一N漂移区（31）表面沿横向方向分别形成LIGBT阴极结构、栅极结构和LIGBT阳极结构；所述LIGBT阴极结构包括第一P型阱区（41）和位于第一P型阱区（41）上层且依次排列的第一P+体接触区（51）、N+发射区（61）；所述栅极结构为平面栅结构，包括栅介质层（15）和覆盖在栅介质层上表面的多晶硅材料（16），所述栅介质层（15）位于N+发射区（61）和第一N漂移区（31）之间的第一P型阱区上层，一端与N+发射区（61）上表面接触，另一端与第一N漂移区（31）接触；所述LIGBT阳极结构包括第一N型缓冲层（71）和P+集电区（72），所述P+集电区（72）位于第一N型缓冲层（71）的上表面；所述第一P+体接触区（51）和N+发射区（61）的共同引出端为LIGBT阴极，且与二极管阴极短接，所述多晶硅材料（16）的引出端为栅极，所述的P+集电区（72）的引出端为LIGBT阳极，且与二极管阳极短接；其特征在于：所述LIGBT阳极结构还具有NMOS结构，包括阳极栅、所述第一N型缓冲层（71）、第三P型阱区（74）、第二N+集电区（73）、第三P+体接触区（75）和第一电极（11）；所述阳极栅为槽栅结构，位于第一N型缓冲层（71）内，与P+集电区（72）远离所述第一N漂移区（31）一侧的侧面接触，阳极栅由栅介质层（76）和位于栅介质层（76）中的多晶硅电极（77）组成；所述第三P型阱区（74）位于阳极栅远离所述第一N漂移区（31）一侧，且其结深低于阳极栅深度；第二N+集电区（73）和第三P+体接触区（75）分别位于第三P型阱区（74）上层两端，其中第二N+集电区（73）与阳极栅接触，多晶硅电极（77）和第二N+集电区（73）的引出端与阳极连接，第三P+体接触区（75）的引出端为第一电极（11）；所述二极管部分中顶层P型区（101）的表面靠近第一N+集电区（62）一侧具有第二电极（12），所述第二电极（12）与所述LIGBT阳极中的第一电极（11）短接。

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