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龙图腾网恭喜中国科学院半导体研究所申请的专利具有抗干扰能力的CMOS带隙基准电压源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115525093B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211306388.9，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权具有抗干扰能力的CMOS带隙基准电压源是由李文昌;祝少良设计研发完成，并于2022-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有抗干扰能力的CMOS带隙基准电压源在说明书摘要公布了：提供一种具有抗干扰能力的CMOS带隙基准电压源，包括：电源端VDD；MOS管单元，与电源端相连；三极管单元；开关电容放大器单元，包括放大器、电容C1、C2，开关S3、S4、S5，放大器正输入端包括放大器输入点IN4和IN5，放大器输入点IN4设置于三极管单元的输入点IN2旁，放大器输入点IN5连接至三极管Q1输入点IN1之间；放大器的负输入端连接电容C1后连接于第二三极管支路的输入点IN2和三极管Q3之间；电容C2的一端连接至放大器的负输入端，电容C2的另一端分为第一开关支路和第二开关支路，第一开关支路中电容C2连接开关S4后连接至放大器的输出端，第二开关支路中电容C2连接开关S5后连接至放大器的正输入端；开关S3的两端分别连接至放大器的负输入端和输出端。

本发明授权具有抗干扰能力的CMOS带隙基准电压源在权利要求书中公布了：1.一种具有抗干扰能力的CMOS带隙基准电压源，包括：电源端VDD；MOS管单元，与电源端相连，包括第一MOS管MP1和第二MOS管MP2两个MOS管，所述两个MOS管构成共源共栅电流镜，所述MOS管单元设置有第一输出点O1和第二输出点O2，所述第一输出点O1连接有第一开关S1，所述第二输出点O2连接有第二开关S2；三极管单元，包括第一三极管支路和第二三极管支路，所述第一三极管支路包括第一三极管Q1和第二三极管Q2，所述第二三极管支路包括第三三极管Q3和第四三极管Q4；所述第一三极管支路设置有第一输入点IN1，所述第二三极管支路设置有相互连接的第二输入点IN2和第三输入点IN3；开关电容放大器单元，包括放大器、第一电容C1、第二电容C2，第三开关S3、第四开关S4、第五开关S5，所述放大器正输入端包括第一放大器输入点IN4和第二放大器输入点IN5两个放大器输入点，所述第一放大器输入点IN4设置于所述三极管单元的第二输入点IN2旁，所述第二放大器输入点IN5连接至所述第一三极管Q1和所述第一输入点IN1之间；所述放大器的负输入端连接第一电容C1后连接于第二三极管支路的第二输入点IN2和所述第三三极管Q3之间；第二电容C2的一端连接至放大器的负输入端，所述第二电容C2的另一端分为第一开关支路和第二开关支路两个开关支路，第一开关支路中第二电容C2连接第四开关S4后连接至放大器的输出端，第二开关支路中第二电容C2连接第五开关S5后连接至放大器的正输入端；所述第三开关S3的两端分别连接至放大器的负输入端和输出端。

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