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龙图腾网恭喜无锡尚德太阳能电力有限公司申请的专利一种钝化接触太阳电池的背面处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115424925B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211149060.0，技术领域涉及：H01L21/306；该发明授权一种钝化接触太阳电池的背面处理方法是由缪若文;严婷婷;王寅设计研发完成，并于2022-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种钝化接触太阳电池的背面处理方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种钝化接触太阳电池的背面处理方法。本发明包括预清洗：采用双氧水混合溶液清洗硅片表面；第一次水洗；背面抛光：腐蚀硅片背面，对硅片背面进行抛光处理，形成硅片背面抛光结构；第二次水洗；第一次碱洗：采用碱与双氧水混合溶液清洗硅片表面；第三次水洗；微制绒：采用碱与制绒添加剂，腐蚀硅片背面；第四次水洗；第二次碱洗：采用碱与双氧水混合溶液清洗硅片表面；第五次水洗；第一次酸洗：采用盐酸溶液清洗硅片表面；第六次水洗；第二次酸洗：采用氢氟酸溶液清洗去除硅片背面氧化层；第七次水洗；烘干：将硅片进行烘干。本发明改善了TOPCon电池背面电极拉力，提升了电池效率。

本发明授权一种钝化接触太阳电池的背面处理方法在权利要求书中公布了：1.一种钝化接触太阳电池的背面处理方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、预清洗：采用质量浓度为0.2~1%的碱与质量浓度为1~2%的双氧水混合溶液清洗硅片表面；S2、第一次水洗：将硅片浸泡于去离子水，同时保持去离子水溢流状态；S3、背面抛光：腐蚀硅片背面，对硅片背面进行抛光处理，形成硅片背面抛光结构；S4、第二次水洗：将硅片浸泡于去离子水，同时保持去离子水溢流状态；S5、第一次碱洗：采用质量浓度为0.2~1%的碱与质量浓度为1%~2%双氧水混合溶液清洗硅片表面；S6、第三次水洗：将硅片浸泡于去离子水，同时保持去离子水溢流状态；S7、微制绒：采用质量浓度为0.3~0.8%的碱与质量浓度为0.2~0.5%的制绒添加剂，腐蚀硅片背面，在背面抛光的结构上，生长金字塔结构的小绒面，增加背面的粗糙度；S8、第四次水洗：将硅片浸泡于去离子水，同时保持去离子水溢流状态；S9、第二次碱洗：采用质量浓度为0.2~1%的碱与质量浓度为1%~2%双氧水混合溶液清洗硅片表面；S10、第五次水洗：将硅片浸泡于去离子水，同时保持去离子水溢流状态；S11、第一次酸洗：采用盐酸溶液清洗硅片表面；S12、第六次水洗：将硅片浸泡于去离子水，同时保持去离子水溢流状态；S13、第二次酸洗：采用氢氟酸溶液清洗去除硅片背面氧化层；S14、第七次水洗：将硅片浸泡于去离子水，同时保持去离子水溢流状态；S15、烘干：将硅片进行烘干；步骤S3中，采用质量浓度为1~3%的碱与质量浓度为0.5~1.5%的表面活性剂来腐蚀硅片背面；步骤S1、步骤S5、步骤S7、步骤S9中的碱均为氢氧化钠或氢氧化钾；步骤S1、步骤S5、步骤S9中的反应时间均为100~200s；步骤S11中，采用质量浓度为1~3%的盐酸溶液清洗硅片表面；采用盐酸溶液的清洗时间为100~200s；步骤S13中，采用浓度0.1~0.2%的氢氟酸溶液清洗去除硅片背面氧化层；采用氢氟酸溶液的清洗时间为50~100s。

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